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SI4431CDY-T1-GE3

更新時間:2025-05-20 20:02:44

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SI4431CDY-T1-GE3 概述

SI4431CDY-T1-GE3是由Vishay公司生產的N溝道MOSFET。該芯片采用DPAK封裝，適合表面貼裝技術應用。其設計主要用于高效功率轉換和管理，在消費電子、工業(yè)設備及通信系統(tǒng)中有廣泛應用。基礎描述：這款MOSFET具有低導通電阻和快速開關特性，有助于減少能量損耗并提高系統(tǒng)效率。它適用于高頻率開關電源、直流-直流轉換器等需要高效能電力管理的場合。此外，它的高耐壓能力使其能在惡劣電氣環(huán)境下穩(wěn)定工作。應用場景包括但不限于：手機充電器、筆記本電腦適配器、LED照明驅動電路以及各類便攜式電子設備的電源管理系統(tǒng)。在實際應用中，建議注意散熱設計以確保最佳性能，同時合理選擇柵極驅動電阻值來優(yōu)化開關速度與EMI表現(xiàn)。

SI4431CDY-T1-GE3 規(guī)格參數(shù)

制造商
Vishay
產品種類
MOSFET
晶體管極性
P-Channel
汲極/源極擊穿電壓
30 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
7 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
32 mOhms
配置
Single Quad Drain Triple Source
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOIC-8 Narrow
封裝
Reel
下降時間
9 ns, 11 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
2500 mW
上升時間
13 ns, 89 ns
工廠包裝數(shù)量
2500
典型關閉延遲時間
23 ns, 22 ns
零件號別名
SI4431CDY-GE3

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SI4400
SI4401
SI4401B
SI4401BDY
SI4401BDY-T1-E3
SI4401BDY-T1-GE3
SS210

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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