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PUMB19,115

更新時間:2025-05-19 05:19:31

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PUMB19,115

NXP Semiconductors 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

TRANS PREBIASED PNP SOT666

封裝:6-TSSOP，SC-88，SOT-363

PUMB19,115 概述

PUMB19,115是Nexperia公司生產的一款MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。它采用DPAK封裝，具有低導通電阻特性，適合用于各種電源管理應用。該型號常被應用于負載開關、OR-ing功能以及DC-DC轉換器中。其低導通電阻有助于減少能量損耗，提高系統(tǒng)效率。在實際使用時，需注意其最大漏極電流和功耗限制，避免因過載導致器件損壞。例如，在設計一個DC-DC降壓轉換器時，可以將作為同步整流管使用，這樣能夠有效降低電路的整體功耗并提升轉換效率。同時，在PCB布局時應盡量減小源極與漏極之間的走線電感，以優(yōu)化高頻性能。

PUMB19,115 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產品
家庭
晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
系列
-
晶體管類型
2 個 PNP 預偏壓式（雙）
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
100mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
50V
電阻器 - 基極 (R1)（歐）
22k
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）
-
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
100 @ 1mA，5V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
150mV @ 500µA，10mA
電流 - 集電極截止（最大）
1µA
頻率 - 轉換
-
功率 - 最大
300mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商設備封裝
6-TSSOP
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
934058907115PUMB19 T/RPUMB19 T/R-ND

芯知識

2.1萬

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廣東微爾科技有限公司

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