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PUMB20,115

更新時間:2025-08-01 20:53:10

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廠商
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說明
詢價

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深圳市硅宇電子有限公司
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助力國營二十余載，一站式BOM配單

現代芯城（深圳）科技有限公司
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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安富微（深圳）商貿有限公司
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10000
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進口原裝現貨假一賠十

深圳市藍圖麥浪電子科技有限公
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PUMB20,115外觀圖

PUMB20,115

NXP Semiconductors 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363

封裝:6-TSSOP，SC-88，SOT-363

PUMB20,115 概述

PUMB20,115是Nexperia公司生產的一款雙路MOSFET。這款芯片采用DSSOT-6封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于需要高效能功率管理的應用場景。它主要用于負載切換、電源管理和電池保護電路中。在便攜式電子設備如智能手機和平板電腦中表現尤為突出，可有效降低功耗并延長電池使用時間。該器件的最大漏極電流為3.3A，能夠滿足大多數低壓應用需求。其邏輯電平門極驅動設計使其可以直接由數字IC進行控制，簡化了電路設計復雜度。工作溫度范圍從-55°C到+150°C，確保在惡劣環(huán)境下也能穩(wěn)定工作。工程師在使用時應注意適當的散熱設計以保證最佳性能。

PUMB20,115 規(guī)格參數

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產品
家庭
晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
系列
-
晶體管類型
2 個 PNP 預偏壓式（雙）
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
100mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
50V
電阻器 - 基極 (R1)（歐）
2.2k
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）
2.2k
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
30 @ 20mA，5V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
150mV @ 500µA，10mA
電流 - 集電極截止（最大）
1µA
頻率 - 轉換
-
功率 - 最大
300mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商設備封裝
6-TSSOP
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
934057888115PUMB20 T/RPUMB20 T/R-ND

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