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NTD3817N-1G

更新時間:2025-06-23 15:02:03

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NTD3817N-1G外觀圖

NTD3817N-1G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK

封裝:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

NTD3817N-1G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
75
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
16V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
7.6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
13.9 毫歐 @ 15A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
10.5nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
702pF @ 12V
功率 - 最大
1.2W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
供應商設備封裝
I-Pak
包裝
管件

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