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NTD32N06LG

更新時間:2025-06-14 19:00:39

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NTD32N06LG外觀圖

NTD32N06LG

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

NTD32N06LG 概述

NTD32N06LG是安森美半導體生產的一款N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用TOLL封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。其典型應用包括直流-直流轉換器、不間斷電源系統(tǒng)以及電機驅動控制等需要高效功率管理的場合。在電路設計中，建議充分考慮散熱設計以確保器件工作在安全溫度范圍內。由于其低柵極電荷特性，在驅動電路設計時可選擇較小的驅動電流能力元件。當用于電機驅動時，需注意防止過流和過壓情況發(fā)生，以免損壞MOSFET。此款MOSFET適合于追求高效率和緊湊布局的應用場景。

NTD32N06LG 規(guī)格參數

標準包裝
75
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
32A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
28 毫歐 @ 16A，5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
50nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1700pF @ 25V
功率 - 最大
1.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
DPAK-3
包裝
管件

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