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NSS1C200MZ4T3G

更新時(shí)間:2025-05-17 17:35:15

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號(hào)
服務(wù)標(biāo)識(shí)
數(shù)量
廠商
封裝/批號(hào)
說明
詢價(jià)

深圳市誠研翔科技有限公司
NSS1C200MZ4T3G
BOM配單
只做原裝正品，提供一站式配套服務(wù)
上傳BOM

我要上特價(jià)
NSS1C200MZ4T3G
今日特價(jià)
展示實(shí)力的機(jī)會(huì)，更是體現(xiàn)服務(wù)的開始！

深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司
NSS1C200MZ4T3G
優(yōu)勢 免費(fèi)樣品
334420
NK/南科功率
SOT2234/2025+
國產(chǎn)南科兼容替代

深圳市華美銳電子有限公司
NSS1C200MZ4T3G
52701
ON/安森美
SOT223/22+
只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

深圳市永貝爾半導(dǎo)體有限公司
NSS1C200MZ4T3G
9200
ON/安森美
SOT223/23+
只做原裝更多數(shù)量在途訂單

深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司
NSS1C200MZ4T3G
8500
ONN
100V2.0APNP/2025+
原裝現(xiàn)貨

深圳市得捷芯城科技有限公司
NSS1C200MZ4T3G
7764
onsemi(安森美)
SOT2234/23+
原裝現(xiàn)貨，當(dāng)天可交貨，原型號(hào)開票

深圳市得捷芯城科技有限公司
NSS1C200MZ4T3G
15913
ON/安森美
NA//23+
原裝現(xiàn)貨，當(dāng)天可交貨，原型號(hào)開票

深圳市安富世紀(jì)電子有限公司
NSS1C200MZ4T3G
6000
ON/安森美
SOT223/23+
十年配單，只做原裝

深圳市金嘉銳電子有限公司
NSS1C200MZ4T3G
16000
ON
SOT223/2026+
原裝優(yōu)勢有貨

深圳市金銳力科技有限公司
NSS1C200MZ4T3G
20000
ON
-/25+
原裝現(xiàn)貨

深圳市金燦利電子科技有限公司
NSS1C200MZ4T3G
168000
ON/安森美
SOT223/23+
全新原裝現(xiàn)貨/實(shí)單價(jià)格支持/優(yōu)勢渠道

深圳市硅宇電子有限公司
NSS1C200MZ4T3G
15988
ON Semiconductor(安森美)
DPAK/25+
助力國營二十余載，一站式BOM配單

深圳市河鋒鑫科技有限公司
NSS1C200MZ4T3G
8300
ONN
100V2.0APNP/23+
原裝現(xiàn)貨

柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公
NSS1C200MZ4T3G
8913
ON/安森美
SOT223/23+
柒號(hào)芯城，離原廠的距離只有0.07公分

深圳市誠研翔科技有限公司
NSS1C200MZ4T3G
5000
ON/安森美
SOT223/22+
原裝現(xiàn)貨，配單助手

深圳市偉欣華電子有限公司
NSS1C200MZ4T3G
150000
ON/安森美
SOT223/21+
原裝現(xiàn)貨，價(jià)格優(yōu)勢，支持bom表配單

藍(lán)界科技（深圳）有限公司
NSS1C200MZ4T3G
10125
ONSemicon
SOT223/18+
國內(nèi)庫存，原裝現(xiàn)貨/特賣價(jià)

深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司
NSS1C200MZ4T3G
免費(fèi)樣品
686868
NK/南科功率
SOT2234/2025+
南科國產(chǎn)替代

深圳市福啟達(dá)科技有限公司
NSS1C200MZ4T3G
360000
ON/安森美
2023+/SOT223
專注場效應(yīng)MOS管,LDO電源 ESD靜電管

深圳市楚勝電子有限公司
NSS1C200MZ4T3G
22358
ON
SOT223 (TO261) 4 LEAD/22+
房間現(xiàn)貨，價(jià)格優(yōu)勢。

深圳市富萊微科技有限公司
NSS1C200MZ4T3G
8963
ON Semiconductor
TO2614 TO261AA/22+
只做原裝，現(xiàn)貨庫存

深圳市星宇佳科技有限公司
NSS1C200MZ4T3G
2500
ON/安森美
SOT223/19+
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù)

深圳市佳麗達(dá)電子有限公司
NSS1C200MZ4T3G
144000
ON
ON/24+
全系列原裝現(xiàn)貨還可以排單

艾潤香港電子有限公司
NSS1C200MZ4T3G
21000
ON
SOT223 (TO261) 4 L/13+
原裝部分現(xiàn)貨量大期貨

深圳市英德州科技有限公司
NSS1C200MZ4T3G
9920
onsemi(安森美)
SOT2234/23+
一站式BOM配單只做原裝

芯德微聯(lián)（深圳）電子有限公司
NSS1C200MZ4T3G
540030
ON/安森美
SOT223/22+
十年配單，只做原裝

深圳市德富勝電子有限公司
NSS1C200MZ4T3G
1000
-
20+/NA
-

深圳市欣宇芯科技有限公司
NSS1C200MZ4T3G
2500
ON
SOT223/22+
New and Original

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NSS1C200MZ4T3G

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANSISTOR PNP 2A 100V SOT-223

封裝:TO-261-4，TO-261AA

NSS1C200MZ4T3G 概述

NSS1C200MZ4T3G是一款由安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）生產(chǎn)的P溝道增強(qiáng)型MOSFET。它采用超小型的X3-DFN1006封裝，非常適合用于空間受限的應(yīng)用場合。該MOSFET的最大漏源電壓（VDS）為-20V，連續(xù)漏極電流（ID）在室溫下可達(dá)-1.2A。其低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）特性有助于減少導(dǎo)通損耗，提高能效。該器件適用于多種便攜式設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)、電源管理等應(yīng)用，如智能手機(jī)、平板電腦和可穿戴設(shè)備等。在電路設(shè)計(jì)中，需注意柵極驅(qū)動(dòng)電壓的選擇以確保MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)，并且要考慮散熱設(shè)計(jì)以避免過熱損壞。在實(shí)際使用時(shí)，要根據(jù)具體電路的需求合理選擇外部元件，例如柵極電阻，以控制開關(guān)速度并減少振鈴現(xiàn)象。

NSS1C200MZ4T3G 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
4,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
2A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
100V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
220mV @ 200mA，2A
電流 - 集電極截止（最大）
-
在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE)
120 @ 500mA，2V
功率 - 最大
800mW
頻率 - 轉(zhuǎn)換
120MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-261-4，TO-261AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝
SOT-223
包裝
帶卷 (TR)

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