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安森美 VCE(sat) 雙極結(jié)晶體管
術?！?安森美半導體新型vce(sat) bjt的抗靜電放電（esd）能力很強，有助防止敏感元件受到損壞。優(yōu)異的電氣性能和低溫系數(shù)可提高電源效率，并最終節(jié)約電池電能。通過減少特定應用中的器件數(shù)量，這些新型晶體管可進一步縮減材料單（bom）。如在提供低于1.0伏（v）的低導通電壓后，就無需典型的電荷泵。由于它們具有雙向阻塞能力，所以也無需阻塞二極管。 pnp 器件 nss12200wt1g 12 v, 3.0 a, 163 milliohm (sc-88) nss30070mr6t1g 30 v, 0.7 a, 320 milliohm (sc-74) nss35200cf8t1g 35 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss40400cf8t1g 40 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss20300mr6t1g 20 v, 5.0 a, 78 milliohm (t
安森美推出全新系列高性能VCE（sat）BJT
用提供這種成本節(jié)約型技術?！?安森美半導體新型vce(sat) bjt的抗靜電放電(esd)能力很強，有助防止敏感元件受到損壞。優(yōu)異的電氣性能和低溫系數(shù)可提高電源效率，并最終節(jié)約電池電能。通過減少特定應用中的器件數(shù)量，這些新型晶體管可進一步縮減材料單(bom)。如在提供低于1.0伏(v)的低導通電壓后，就無需典型的電荷泵。由于它們具有雙向阻塞能力，所以也無需阻塞二極管。 pnp 器件 nss12200wt1g 12 v, 3.0 a, 163 milliohm (sc-88) nss30070mr6t1g 30 v, 0.7 a, 320 milliohm (sc-74) nss35200cf8t1g 35 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss40400cf8t1g 40 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss20300mr6t1g 20 v, 5.0 a, 78 milliohm (tsop-6) nss30100lt1g 30 v, 2.0 a, 200 milliohm (sot-23) nss352

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