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NTD65N03R-1G

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NTD65N03R-1G外觀圖

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：75
  • 類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭：FET - 單
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點：邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)：25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：9.5A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：8.4 毫歐 @ 30A，10V
  • Id 時的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs：16nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds：1400pF @ 20V
  • 功率 - 最大：1.3W
  • 安裝類型：通孔
  • 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak
  • 包裝：管件
NTD65N03R-1G 相關(guān)信息
  • NTD65N03R-1G的技術(shù)參數(shù)
    產(chǎn)品型號:NTD65N03R-1G源漏極間雪崩電壓VBR(V):25源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):8.400最大漏極電流Id(on)(A):65通道極性:N封裝/溫度(℃):DPAK-3/-55~175描述:25V,65A,N溝道MOSFET價格/1片(套):暫無 來源:xiangxueqin
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