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NTB23N03R

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  • 大?。?3.78KB
  • 廠家：ONSEMI [ON Semiconductor]
  • 描述：Power MOSFET 23 Amps, 25 Volts N−Channel D2PAK
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
  • 類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭：FET - 單
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點：標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)：25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：6A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：45 毫歐 @ 6A，10V
  • Id 時的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs：3.76nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds：225pF @ 20V
  • 功率 - 最大：37.5W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK
  • 包裝：管件
NTB23N03R 相關(guān)信息
  • NTB23N03R的技術(shù)參數(shù)
    產(chǎn)品型號:NTB23N03R源漏極間雪崩電壓VBR(V):25源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):50.300最大漏極電流Id(on)(A):23通道極性:N溝道封裝/溫度(℃):D2PAK/-55~175描述:23A,25V功率MOSFET價格/1片(套):￥4.50 來源:xiangxueqin
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