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NTB18N06T4

更新時間:2025-06-10 19:55:58

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NTB18N06T4外觀圖

NTB18N06T4

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

NTB18N06T4 概述

NTB18N06T4是安森美半導體(ON Semiconductor)生產的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻特性，在柵源電壓為10V時典型值僅為0.027歐姆。其最大漏極電流可達18A，擊穿電壓為60V，適用于多種功率轉換應用。常見應用場景包括直流-直流轉換器、電機驅動、負載開關以及電源管理電路等。由于其較低的導通損耗和快速的開關速度，特別適合于需要高效能量轉換的場合。在實際應用中，應確保柵極驅動電壓足夠高以實現最低導通電阻，并注意散熱設計以維持器件工作溫度在安全范圍內。對于電機驅動應用，建議添加適當的緩沖電路來抑制開關噪聲。

NTB18N06T4 規(guī)格參數

標準包裝
800
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
15A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
90 毫歐 @ 7.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
22nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
450pF @ 25V
功率 - 最大
48.4W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTB18N06T4OS

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