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NTD4806NT4G

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NTD4806NT4G外觀圖

NTD4806NT4G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

NTD4806NT4G 概述

NTD4806NT4G是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。它采用小巧的TSOP-6封裝，適合空間受限的應(yīng)用。該MOSFET具有低導(dǎo)通電阻特性，在4.5V柵極電壓下的典型值為32mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗。其最大漏源電壓(VDS)為30V，連續(xù)漏極電流(ID)在25°C下可達5.8A。該器件適用于負載開關(guān)、電源管理以及DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用場合。由于其快速開關(guān)性能和低柵極電荷，能夠提高系統(tǒng)效率并減少開關(guān)損耗。在電池供電設(shè)備中使用時，可以有效延長電池續(xù)航時間。需要注意的是，實際應(yīng)用時要保證散熱良好，防止因過熱導(dǎo)致性能下降或損壞。

NTD4806NT4G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
11.3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
23nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2142pF @ 12V
功率 - 最大
1.4W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTD4806NT4G-NDNTD4806NT4GOSTR

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