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NTD4808NT4G

更新時間:2025-06-12 18:34:49

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NTD4808NT4G外觀圖

NTD4808NT4G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 9.8A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

NTD4808NT4G 概述

NTD4808NT4G是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用TSOP-6封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性。其最大漏源電壓為30V，適用于高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)和電源管理應(yīng)用。在筆記本電腦、智能手機(jī)等便攜式設(shè)備中，NTD4808NT4G常用于電源管理系統(tǒng)，作為高效能的功率開關(guān)。由于其緊湊的封裝尺寸和優(yōu)異的電氣性能，特別適合空間受限的設(shè)計。在實際應(yīng)用中，建議在柵極串聯(lián)一個小電阻以抑制振蕩，并在源極和漏極之間添加適當(dāng)?shù)娜ヱ铍娙菀苑€(wěn)定工作點(diǎn)。設(shè)計PCB時應(yīng)盡量縮短引線長度，以減少寄生電感對開關(guān)性能的影響。

NTD4808NT4G 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
2,500
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
9.8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
8 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
13nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1538pF @ 12V
功率 - 最大
1.3W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)

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NCP1117ST33T3G

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