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IXTT48P20P

更新時間:2025-05-15 21:56:25

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IXTT48P20P外觀圖

IXTT48P20P

IXYS FET - 單

MOSFET P-CH 200V 48A TO-268

封裝:TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA

IXTT48P20P 概述

IXTT48P20P是Littelfuse公司生產的一款功率MOSFET。它采用TO-220封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。該器件的最大漏源電壓為200V，適用于高電壓應用環(huán)境。其最大連續(xù)漏極電流可達48A，適合需要較大電流處理能力的電路。這款MOSFET常用于電源管理、電機驅動、逆變器以及不間斷電源（UPS）等工業(yè)和消費類電子設備中。在實際應用時，建議在柵極和源極之間添加一個適當的小電容以防止寄生振蕩，并確保良好的散熱設計以維持穩(wěn)定工作溫度。對于電源轉換電路，可將其配置在同步整流或半橋拓撲結構中，充分發(fā)揮其高效能優(yōu)勢。注意遵循制造商推薦的最大額定值和安全操作指南，避免超出規(guī)格范圍使用。

IXTT48P20P 規(guī)格參數

標準包裝
30
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PolarP™
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
48A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
85 毫歐 @ 24A, 10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
103nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
5400pF @ 25V
功率 - 最大
462W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
供應商設備封裝
TO-268
包裝
管件

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IXTT10P50
IXTT120N15P
IXTT12N140
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IXTT16N10D2
IXTT16N20D2
IRF9540N

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