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IXTP52P10P

更新時間:2025-05-20 11:58:40

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IXTP52P10P外觀圖

IXTP52P10P

IXYS FET - 單

MOSFET P-CH 100V 52A TO-220

封裝:TO-220-3

IXTP52P10P 概述

IXTP52P10P是IXYS公司生產(chǎn)的一款功率MOSFET。它采用TO-220封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。該器件的最大漏源電壓為100V，在室溫下連續(xù)漏極電流可達23A。其柵極電荷較低，有助于提高開關效率并減少驅動損耗。此MOSFET適用于多種功率轉換應用，如開關電源、直流-直流轉換器、電機驅動和逆變器等場合。在實際應用中，建議選擇適當?shù)臇艠O電阻來控制開關速度，并注意柵極驅動電壓應在規(guī)定范圍內以確?？煽抗ぷ鳌ＴO計電路時應考慮足夠的散熱措施，以保證器件在額定功率下穩(wěn)定運行。

IXTP52P10P 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PolarP™
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
52A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
50 毫歐 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
60nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2845pF @ 25V
功率 - 最大
300W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件

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