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IXTP5N60P

更新時間:2025-07-08 16:56:43

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IXTP5N60P外觀圖

IXTP5N60P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 600V 5A TO-220

封裝:TO-220-3

IXTP5N60P 概述

IXTP5N60P是一款由IXYS公司生產(chǎn)的高壓功率MOSFET，專為高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于電源管理、逆變器、焊接設(shè)備等多種工業(yè)應(yīng)用場合。其最大漏源電壓（VDS）可達600V，連續(xù)漏極電流（ID）在25℃時為5A，能滿足大多數(shù)中等功率需求的電路設(shè)計。在實際應(yīng)用中，IXTP5N60P常用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC整流器中，作為主開關(guān)元件使用。由于其低柵極電荷量，可以減少驅(qū)動損耗，提高整體效率。建議在使用時注意散熱設(shè)計，確保工作溫度不超過最大額定值。此外，在布局PCB時應(yīng)盡量減小回路面積，以降低電磁干擾。對于初學(xué)者而言，參考官方提供的典型應(yīng)用電路進行設(shè)計是一個不錯的選擇。

IXTP5N60P 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PolarHV™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.7 歐姆 @ 2.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5.5V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
14.2nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
750pF @ 25V
功率 - 最大
100W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220
包裝
管件

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