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IXTH30N50

更新時間:2025-06-10 09:15:41

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IXTH30N50外觀圖

IXTH30N50

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

封裝:TO-247-3

IXTH30N50 概述

IXTH30N50是IXYS公司生產(chǎn)的一款高壓大功率MOSFET。該器件采用TO-247封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效能電源轉(zhuǎn)換應用。其最大漏源電壓可達500V，連續(xù)漏極電流為30A，能夠承受較高的功率損耗。這款MOSFET廣泛應用于不間斷電源（UPS）、開關模式電源（SMPS）以及電機驅(qū)動器等需要高效率和可靠性的場合。在設計電路時，需注意適當?shù)纳岽胧┮员ＷC器件正常工作。例如，在設計開關電源時，可以將其用于初級側(cè)的功率開關管，搭配合適的柵極驅(qū)動電路，確保最佳性能表現(xiàn)。同時，在布局PCB時要盡量減小寄生電感，以避免產(chǎn)生電壓尖峰影響器件可靠性。

IXTH30N50 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
MegaMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
30A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
170 毫歐 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
227nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
5680pF @ 25V
功率 - 最大
360W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247AD
包裝
管件

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IXTH10N60
IRF9630

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