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IXTH50N20

更新時間:2025-06-11 15:32:46

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IXTH50N20外觀圖

IXTH50N20

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD

封裝:TO-247-3

IXTH50N20 概述

IXTH50N20是由IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-247封裝，具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力，典型導(dǎo)通電阻僅為0.03歐姆（在25℃條件下），最大漏極電流可達50A。其工作電壓為200V，適用于高效電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。常見應(yīng)用場景包括不間斷電源（UPS）、電機驅(qū)動、開關(guān)電源及各類工業(yè)控制設(shè)備。由于其出色的熱穩(wěn)定性和高效率，特別適合需要高可靠性的電力電子系統(tǒng)。使用時應(yīng)注意合理設(shè)計散熱結(jié)構(gòu)，并確保柵極驅(qū)動電路的穩(wěn)定性以避免誤觸發(fā)。在實際應(yīng)用中，建議將源極和柵極之間并聯(lián)一個適當容量的電容來增強抗干擾性能。

IXTH50N20 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
MegaMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
50A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4.5 毫歐 @ 25A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
220nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4600pF @ 25V
功率 - 最大
300W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-247AD
包裝
管件

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