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IXFN120N25

更新時間:2025-05-19 14:14:51

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IXFN120N25

IXYS FET

MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B

封裝:SOT-227-4，miniBLOC

IXFN120N25 概述

IXFN120N25是由IXYS公司生產的一款高性能功率MOSFET。該器件采用N溝道設計，具有250V的漏源電壓額定值和高達120A的連續(xù)漏極電流能力。其低導通電阻特性有助于減少功率損耗，在高效率電源轉換應用中表現(xiàn)優(yōu)異。典型應用場景包括開關電源、不間斷電源系統(tǒng)、電機驅動器以及各種工業(yè)控制設備中的高壓側開關。在實際應用中，建議在電路設計時充分考慮散熱管理以確保器件穩(wěn)定運行。對于高頻開關應用，需優(yōu)化柵極驅動電路以減小開關損耗。當用于電機驅動時，要特別注意防止過壓和過流現(xiàn)象，以免損壞器件。此外，根據具體需求選擇合適的封裝形式（如TO-247），以便于安裝與散熱。

IXFN120N25 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
10
類別
半導體模塊
家庭
FET
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
250V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
120A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
-
Id 時的 Vgs(th)（最大）
-
閘電荷(Qg) @ Vgs
-
輸入電容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
-
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B
包裝
管件

芯知識

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