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IXFK30N110P

更新時間:2025-05-16 08:53:31

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IXFK30N110P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264

封裝:TO-264-3，TO-264AA

IXFK30N110P 概述

IXFK30N110P是IXYS公司生產的一款高性能功率MOSFET。該器件采用TO-264封裝，具有極低的導通電阻和快速開關特性，適用于高壓應用場合。其最大漏源電壓Vds可達1100V，連續(xù)漏極電流Id在25℃時為30A，保證了在高功率電路中的穩(wěn)定運行。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、高頻開關電源以及電機驅動等需要高效能量轉換的領域。由于其出色的熱性能和低開關損耗，特別適合用于要求高效率和緊湊設計的電力電子系統(tǒng)中。在實際應用中，建議根據具體電路需求選擇合適的柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度，并確保足夠的散熱措施。此外，應注意正確布局PCB走線，盡量減小寄生電感對開關性能的影響。

IXFK30N110P 規(guī)格參數

標準包裝
25
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
Polar™ HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
1100V（1.1kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
30A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
360 毫歐 @ 15A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
6.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
235nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
13600pF @ 25V
功率 - 最大
960W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-264-3，TO-264AA
供應商設備封裝
TO-264
包裝
管件

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