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IXFK30N100Q2

更新時間:2025-07-07 09:40:25

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IXFK30N100Q2外觀圖

IXFK30N100Q2

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 1000V 30A TO-264

封裝:TO-264-3，TO-264AA

IXFK30N100Q2 概述

IXFK30N100Q2是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能N溝道MOSFET，適用于高電壓和大功率應用。該器件的最大漏源電壓（Vds）為1000V，連續(xù)漏極電流（Id）可達30A，具備低導通電阻（Rds(on)），有助于降低開關(guān)損耗。其快速開關(guān)特性使其適合用于高頻應用，如開關(guān)電源、逆變器以及電機驅(qū)動等領域。在工業(yè)控制和可再生能源系統(tǒng)中也有廣泛應用。使用時應注意合理的散熱設計以確保穩(wěn)定運行，推薦采用適當?shù)臇艠O驅(qū)動電路來優(yōu)化開關(guān)性能。

IXFK30N100Q2 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
25
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
30A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
400 毫歐 @ 15A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 8mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
186nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
8200pF @ 25V
功率 - 最大
735W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-264-3，TO-264AA
供應商設備封裝
TO-264AA
包裝
管件

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