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IXFH20N80P

更新時間:2025-05-22 10:39:59

供應(yīng)商
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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深圳市華盛錦科技有限公司
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深圳市銘科微電子有限公司
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深圳市英德州科技有限公司
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上海紫卓電子科技有限公司
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IXFH20N80P外觀圖

IXFH20N80P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 800V 20A TO-247

封裝:TO-247-3

IXFH20N80P 概述

IXFH20N80P是由IXYS公司生產(chǎn)的高性能功率MOSFET。這款器件采用TO-247封裝，適用于高電壓和高功率應(yīng)用場合。它具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，能夠有效降低能量損耗并提高系統(tǒng)效率。該型號主要應(yīng)用于工業(yè)電源、不間斷電源（UPS）、電機驅(qū)動器以及各類需要高壓大電流開關(guān)的電力電子設(shè)備中。在逆變器和直流-直流轉(zhuǎn)換器設(shè)計里表現(xiàn)尤為突出，可以承受高達800V的漏源電壓，并提供持續(xù)20A的漏極電流能力。使用時需注意其散熱管理以確保可靠運行，在實際電路布局中應(yīng)盡量縮短柵極引線長度減少寄生電感影響。建議結(jié)合具體應(yīng)用場景進行適當(dāng)?shù)腜CB設(shè)計優(yōu)化，并按照數(shù)據(jù)手冊推薦值選取合適的驅(qū)動電阻及保護電路元件。

IXFH20N80P 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
30
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PolarHV™ HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
20A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
520 毫歐 @ 10A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 4mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
86nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4685pF @ 25V
功率 - 最大
500W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-247
包裝
管件

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IXFH100N25P
IXFH102N15T
IXFH10N100
IXFH10N80P
IXFH110N10P
IXFH11N90
IRF7832

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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