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IXFH24N80P

更新時間:2025-06-17 23:10:46

供應商
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詢價

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IXFH24N80P外觀圖

IXFH24N80P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 800V 24A TO-247

封裝:TO-247-3

IXFH24N80P 概述

IXFH24N80P是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET，專為高壓應用設(shè)計。這款器件具有極低的導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于各種工業(yè)電源系統(tǒng)。其最大漏源電壓（Vds）可達800V，連續(xù)漏極電流（Id）為24A，適合用于不間斷電源（UPS）、焊接設(shè)備、電機驅(qū)動以及感應加熱等應用場合。在實際應用中，該MOSFET通常被用作主開關(guān)元件，因其優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性和高效率而備受青睞。設(shè)計時需注意適當?shù)臇艠O驅(qū)動電路以確保最佳性能，并避免過壓或過流情況發(fā)生。推薦使用散熱器來提高熱管理效果，特別是在大功率應用場景下。電路布局應盡量減小寄生電感，以減少開關(guān)損耗并提升整體效率。

IXFH24N80P 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PolarHV™ HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
24A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
400 毫歐 @ 12A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 4mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
105nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
7200pF @ 25V
功率 - 最大
650W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設(shè)備封裝
TO-247
包裝
管件

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