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IRF640FP

更新時間:2025-06-10 06:14:37

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IRF640FP外觀圖

IRF640FP

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP

封裝:TO-220-3 整包

IRF640FP 概述

IR40FP是由國際整流器公司（現為英飛凌科技的一部分）生產的MOSFET（金屬氧化物場效應晶體管）。該元件采用TO-220封裝，具有較低的導通電阻和較高的擊穿電壓，適用于多種功率管理應用。其最大漏極電流可達13A，柵源電壓為±20V，最大漏源電壓為100V。典型應用場景包括開關電源、電機驅動、逆變器以及各類需要高效電能轉換的設備中。在使用時應注意適當的散熱設計以確保器件穩(wěn)定運行，避免過熱導致性能下降或損壞。在電路設計中應確保柵極驅動電路能夠提供足夠的電壓來完全開啟MOSFET，以減少導通損耗并提高效率。

IRF640FP 規(guī)格參數

標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

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IRF60N06
IRF610
IRF6100
IRF6100PBF
IRF610A
IRF610B
IRLML6401TRPBF

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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