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FQPF5N50C

更新時間:2025-06-02 09:10:47

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海芯未來半導體電子（深圳）有
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深圳市華斯頓科技有限公司
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原裝全新現貨/優(yōu)勢渠道商、原盤原包原盒

貿澤芯城（深圳）電子科技有限
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一級代理，原廠排單到貨，可開原型號13%專用發(fā)票

深圳市創(chuàng)芯聯盈電子有限公司
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深圳市硅宇電子有限公司
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深圳市華美銳科技有限公司
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原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

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中科航電（深圳）電子集團有限
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一手渠道假一罰十原包裝常備現貨林R Q2280193667

深圳市港博科電子有限公司
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深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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深圳市博洋芯微電子有限公司
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FQPF5N50C外觀圖

FQPF5N50C

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F

封裝:TO-220-3 整包

FQPF5N50C 概述

FQPF5N50C是Fairchild Semiconductor生產的一款N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-220F封裝。該器件專為高效功率轉換應用設計，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓為500V，適合在高壓電路中使用。典型應用場景包括開關電源、照明系統中的鎮(zhèn)流器以及電機驅動控制等。在實際應用中，建議將其用于需要高效率和緊湊設計的場合。例如，在設計一個反激式開關電源時，可將此MOSFET作為主開關管，搭配合適的柵極驅動電路以確?？煽块_啟和關閉。注意其最大工作結溫不應超過150°C，并且要合理設計散熱措施，如安裝足夠面積的散熱片，以保證器件長期穩(wěn)定運行。

FQPF5N50C 規(guī)格參數

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.4 歐姆 @ 2.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
24nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
625pF @ 25V
功率 - 最大
38W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220F
包裝
管件

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FQPF10N60
FT232BL

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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