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FQPF630

更新時間:2025-05-20 18:04:27

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一級代理，原裝假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨

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原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單

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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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一級代理專營品牌原裝，優(yōu)勢現(xiàn)貨，長期排單到貨

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FQPF630外觀圖

FQPF630

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 200V 6.3A TO-220F

封裝:TO-220-3 整包

FQPF630 概述

FQPF630是由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻開關電源應用。其典型應用場景包括直流-直流轉換器、電池充電器、電機驅動以及各種需要高效能量轉換的電子設備中。在電路設計時，需注意柵極驅動電壓的選擇以確保完全開啟MOSFET，同時要合理布局PCB以減少寄生電感影響開關性能。由于其良好的熱穩(wěn)定性和低損耗特點，在緊湊型高效電源解決方案中表現(xiàn)出色。使用時應關注最大額定電壓電流參數(shù)，避免超出規(guī)格導致器件損壞。

FQPF630 規(guī)格參數(shù)

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
6.3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
400 毫歐 @ 3.15A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
25nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
550pF @ 25V
功率 - 最大
38W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220F
包裝
管件

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