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FQD13N06LTM

更新時間:2025-07-06 01:27:16

供應(yīng)商
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FQD13N06LTM外觀圖

FQD13N06LTM

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 60V 11A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FQD13N06LTM 概述

FQD13N06LTM是Fairchild Semiconductor生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET，適用于中低壓應(yīng)用。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，使其在電源管理電路中表現(xiàn)出色。典型應(yīng)用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動、負載開關(guān)及電池充電電路等。其封裝形式為TO-252 (DPAK)，適合緊湊型設(shè)計需求。在使用時需注意柵極驅(qū)動電壓的選擇以確保完全開啟，推薦驅(qū)動電壓為10V以獲得最優(yōu)導(dǎo)通電阻。設(shè)計電路時，應(yīng)考慮適當(dāng)?shù)纳岽胧┮跃S持器件的穩(wěn)定工作溫度。此MOSFET可在工業(yè)控制、消費電子設(shè)備等多種場合中發(fā)揮關(guān)鍵作用。

FQD13N06LTM 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品培訓(xùn)模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
2,500
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
11A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
115 毫歐 @ 5.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
6.4nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
350pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-252-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FQD13N06LTM-NDFQD13N06LTMTR

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