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FQD13N10TM

更新時間:2025-06-11 15:52:05

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FQD13N10TM外觀圖

FQD13N10TM

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FQD13N10TM 概述

FQD13N10TM是由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該器件采用TO-252封裝，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點，適用于多種功率管理應(yīng)用。基礎(chǔ)描述方面，它能在Vds為100V時提供高達13A的連續(xù)漏極電流。其柵極電荷較低，有助于降低驅(qū)動損耗并提高整體效率。典型的應(yīng)用場景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電源適配器、電機驅(qū)動以及各類需要高效功率開關(guān)的設(shè)備中。在實際應(yīng)用中，建議確保柵極驅(qū)動電壓足夠以完全開啟MOSFET，并且注意散熱設(shè)計，避免過熱導(dǎo)致性能下降或損壞。對于高頻開關(guān)應(yīng)用，應(yīng)仔細選擇柵極電阻值以優(yōu)化開關(guān)速度與EMI之間的平衡。在電路設(shè)計時，可以參考制造商提供的典型應(yīng)用電路進行布局，以實現(xiàn)最佳性能。

FQD13N10TM 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品培訓(xùn)模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
2,500
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
10A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
16nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
450pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-252-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FQD13N10TM-NDFQD13N10TMTR

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FQD10N10
FQD10N20C
FQD10N20CTM
FQD10N20L
FQD10N20LTF
FQD10N20LTM
FDN306P

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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