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FGA40N65SMD

更新時間:2025-05-25 15:26:28

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FGA40N65SMD外觀圖

FGA40N65SMD

Fairchild Semiconductor IGBT - 單路

IGBT 650V 80A TO-3P

封裝:TO-3P-3，SC-65-3

FGA40N65SMD 概述

FGA40N65SMD是由ON Semiconductor生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET。該器件采用MDmesh技術，具有低導通電阻和低柵極電荷特性，適用于高效能的開關電源應用。其最大漏源電壓為650V，連續(xù)漏極電流可達40A，適合用于高電壓和大電流的應用場景。常見應用場景包括不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、高頻開關電源以及電機驅(qū)動控制等。由于其快速的開關速度和優(yōu)異的熱性能，在需要高效率和緊湊設計的場合尤為適用。在電路設計中，建議選擇合適的柵極驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關速度并減少EMI干擾。同時，需確保良好的散熱設計，以維持器件工作溫度在安全范圍內(nèi)。

FGA40N65SMD 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
IGBT - 單路
系列
-
IGBT 類型
場截止
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
650V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
2.5V @ 15V，40A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
80A
功率 - 最大
349W
輸入類型
標準型
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
供應商設備封裝
TO-3P
包裝
管件
其它名稱
FGA40N65SMD-ND

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FGA40N120
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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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