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FDFME3N311ZT

更新時間:2025-06-08 16:04:22

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深圳市雙利電子有限公司
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深圳市勤尚偉業(yè)電子有限公司
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中研正芯（深圳）電子科技有限
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Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET

封裝:6-WDFN 裸露焊盤

FDFME3N311ZT 規(guī)格參數

標準包裝
5,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
二極管（隔離式）
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
299 毫歐 @ 1.6A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
1.4nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
75pF @ 15V
功率 - 最大
600mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-WDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝
6-MicroFET（1.6x1.6）
包裝
帶卷 (TR)

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