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FDFS2P753Z

更新時間:2025-06-10 19:38:02

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市中飛凌科技有限公司
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深圳市君云達電子科技有限公司
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FDFS2P753Z外觀圖

FDFS2P753Z

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 30V 3A 8-SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

FDFS2P753Z 概述

FDFS2P753Z是一款由安森美半導體（ON Semiconductor）生產(chǎn)的雙N溝道MOSFET，采用DFN8封裝。該MOSFET專為高效功率轉(zhuǎn)換應用設(shè)計，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性。其最大漏源電壓Vds為25V，適合在低壓電源管理系統(tǒng)中使用，如負載開關(guān)、電源路徑管理等場景。由于其緊湊的封裝尺寸和優(yōu)秀的熱性能，特別適用于空間受限的手持設(shè)備和其他便攜式電子產(chǎn)品中。在電路設(shè)計時應注意合理布局以優(yōu)化散熱效果，并確保驅(qū)動電壓滿足開啟閾值要求，避免因驅(qū)動不足導致器件工作異常。

FDFS2P753Z 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
二極管（隔離式）
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
115 毫歐 @ 3A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
9.3nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
455pF @ 10V
功率 - 最大
1.6W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設(shè)備封裝
8-SOICN
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDFS2P753ZTR

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FDFS6N548
FM62429

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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