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FDB8441

更新時間:2025-07-04 02:03:56

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

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FDB8441外觀圖

FDB8441

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

FDB8441 概述

FDB8441是由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效功率轉換應用。其最大漏極-源極電壓為40V，適合于低壓電源管理電路中。典型應用場景包括直流-直流轉換器、負載開關和電池充電管理系統(tǒng)。在便攜式設備如智能手機和平板電腦中，F(xiàn)DB8441常用于優(yōu)化電源效率并減少熱損耗。此外，它還廣泛應用于工業(yè)控制、汽車電子以及消費類電子產(chǎn)品中的電源模塊設計。使用時需注意柵極驅動電壓的選擇，確保達到最佳的導通電阻性能。推薦在實際應用中添加適當?shù)纳岽胧┮员ＷC器件長期穩(wěn)定工作。對于高頻開關應用，建議仔細考慮PCB布局以最小化寄生電感和電容效應。

FDB8441 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
800
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
80A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2.5 毫歐 @ 80A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
280nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
15000pF @ 25V
功率 - 最大
300W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D²PAK
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDB8441TR

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FDB8030L
FDB8030L-NL
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FDB8444
FDB8445
FQPF10N60C

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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