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FDB8860

更新時間:2025-05-21 18:55:01

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深圳市捷立輝科技有限公司
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FDB8860外觀圖

FDB8860

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

FDB8860 概述

FDB8860是由On Semiconductor（安森美半導體）生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應用。其最大漏源電壓為60V，適合于中低壓應用環(huán)境。典型應用場景包括電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器、負載開關及電機驅(qū)動等領域。在電源管理系統(tǒng)中，F(xiàn)DB8860能夠有效降低功耗，提高整體效率。對于DC-DC轉(zhuǎn)換器設計，其快速開關速度有助于減少開關損耗，提升系統(tǒng)性能。使用時需注意散熱設計，確保工作溫度不超過額定值。建議在PCB布局時優(yōu)化走線寬度以增強散熱效果，并遵循制造商推薦的柵極驅(qū)動電路設計，以實現(xiàn)最佳性能。在電機驅(qū)動應用中，應考慮適當?shù)谋Ｗo電路，防止過流損壞MOSFET。

FDB8860 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
800
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
80A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2.3 毫歐 @ 80A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
214nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
12585pF @ 15V
功率 - 最大
254W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D²PAK
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDB8860TR

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FDB8444
FR207

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