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求工藝公關(guān) |
| 作者：趙淵 欄目：IC產(chǎn)業(yè) |
尋求能解決功率MOS從劃片到封裝中出現(xiàn)的擊穿難點(diǎn)。有償服務(wù)！能解決的高手請留下聯(lián)系方式或者zhaoyuan860@163.com 0755-83223160 13689541146聯(lián)系。 * - 本貼最后修改時(shí)間：2007-1-1 11:36:54 修改者：趙淵 |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： liu1875 于 2007/1/17 22:44:00 發(fā)布：
具體一點(diǎn) 劃片到封裝中的擊穿難點(diǎn) 擊穿的電壓是多高，封裝是什么類型封裝，芯片原始設(shè)計(jì)的功率是多大？ 劃片槽的設(shè)計(jì)寬度多少？ |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： 趙淵 于 2007/1/22 12:06:00 發(fā)布：
回樓上 靜電擊穿啊，封裝是TO-220，是VDMOS型，設(shè)計(jì)功率是5.6KW，即75V*75A，樓上可有解決辦法？ |
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