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bandgap測試結果差別很大.找不到原因 |
| 作者：junjieh 欄目：IC設計 |
前段時間在smic .18工藝上做了一個bandgap電路,用的是3.3V的管子，采用ptat加放大器結構,放大器采用折疊共源共柵結構，電流源用cascode，電阻用Ｎ阱電阻（主要考慮面積比較�。校危泄鼙壤秊�1:8,所有的需要match的管子都做了比較好的match.仿真結果：１．２６，所得到的五個樣品測試結果分別為1.1V ,1.1V,1.18V,1.28V,1.42V,離散性很大，與電源電壓關系不大，大家?guī)臀曳治龇治瞿膫�地方出了問題？我實在想不到為什么差別這么大． |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： extraord 于 2006/7/23 12:22:00 發(fā)布：
用N-well電阻就是你的不對了 跑跑monte carol看看。 |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： look&think 于 2006/7/26 16:03:00 發(fā)布：
op offset 有計算過op的offset嗎？再把op的offset帶到整個電路算算看，這么大的偏差應該不止是n-well電阻引起的。 |
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| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： junjieh 于 2006/8/1 17:16:00 發(fā)布：
計算OP的offset? 只是用仿真看了一下offset,幾十微伏的量級,應該不會產(chǎn)生這么大的影響吧? 謝謝樓上兩位. |
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| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： junjieh 于 2006/8/2 13:50:00 發(fā)布：
自已頂 |
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| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： look&think 于 2006/8/2 14:27:00 發(fā)布：
OP的offset你算錯了 只是用仿真看了一下offset,幾十微伏的量級,應該不會產(chǎn)生這么大的影響吧? 看來你是完全低估了PROCESS offset了，不可能是幾十微伏的量級。一般op不在意的作作，至少有幾個mV，再被你的bandgap放大個十倍八倍的，就幾十mV出去了，輸出就忽上忽下了。 建議你把Razavi講bandgap那部分看全了，還有有一章講mismatch的，估算一下你的晶體管的失配，再估算出op的失調，應該能找出原因。這里沒法展開了。 |
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| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： junjieh 于 2006/8/7 14:22:00 發(fā)布：
謝謝樓上,我再考慮考慮 |
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| 8樓： | >>參與討論 |
| 作者： sheepyang 于 2006/8/8 13:45:00 發(fā)布：
樓主問題還沒解決啊 我估計是阱電阻的問題。晚上我談談我的看法。 |
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| 9樓： | >>參與討論 |
| 作者： premp 于 2006/8/9 19:11:00 發(fā)布：
我整整研究過一年的bandgap 我整整研究過一年的bandgap,可以說相當熟悉了。這個測試的結果非常的正常。最主要的原因就是運算放大器的offset造成的。所以通常bandgap需要做trimming 的。 |
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| 10樓： | >>參與討論 |
| 作者： sheepyang 于 2006/8/10 12:20:00 發(fā)布：
呵呵，不是運放的offset 從原則上來講，該誤差應該來自于bandgap關鍵元件的不匹配性。運放本身的offset因為電路負反饋的存在是不會被放大多少的。 |
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| 11樓： | >>參與討論 |
| 作者： look&think 于 2006/8/11 14:17:00 發(fā)布：
to premp: how to trim? premp: 你所說的trimming是哪種方式，是offset 自調零等電路技術，還是激光修正等物理手段？其帶來的問題有什么？可否具體回答，我們以后可以嘗試。 |
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| 12樓： | >>參與討論 |
| 作者： look&think 于 2006/8/16 13:59:00 發(fā)布：
頂一下 |
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| 13樓： | >>參與討論 |
| 作者： fjhbest 于 2006/8/17 8:30:00 發(fā)布：
電阻變化 op的offset 可以仿真的，你可以讓兩個輸入管子尺寸不一樣，使兩端有offset,可以看見對bandgap的影響，應該沒有那么大的，這么大主要是電阻，n-well電阻變化可能有上下50%（具體看工藝廠商），還有pnp也有變化，當電阻和pnp變化方向相反時誤差最大。pnp(ff) RESISTOR(ss)...... |
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| 14樓： | >>參與討論 |
| 作者： chenjia 于 2006/8/19 11:59:00 發(fā)布：
沒必要用激光修調，可以考慮其它的修調方法。 如果你想把BGR初始精度做到好，可以用zener zap方式修調（XFAB推薦）或OTP方式修調（charted推薦）。當然可以在post—simulation時做一下MC的仿真，這個應該比較有用，我在XFAB流片的經(jīng)驗是MC的仿真結果還是很接近測試的結果的，但前提是你的MC仿真庫是fab提供和你的layout要有一定水平，呵呵。 |
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| 15樓： | >>參與討論 |
| 作者： xiexi2001 于 2006/8/21 17:40:00 發(fā)布：
Re 會不會是Vbe的原因呢，因為我們仿真的時候都是Vbe在25C為某個確定的值，而事實上并不是如此。 |
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| 16樓： | >>參與討論 |
| 作者： junjieh 于 2006/9/12 15:37:00 發(fā)布：
回復 還沒有找到原因:廠家的PCM顯示,電阻的變化只有2%左右. 現(xiàn)在問題主要集中上失調上來,我的VBG輸出大概是1.1-1.4,有300MV的偏差,考慮到R3/R2之比為10左右,也就是說放大器的電壓失調有30MV左右. |
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| 17樓： | >>參與討論 |
| 作者： lylnk 于 2006/9/12 23:41:00 發(fā)布：
放大器的輸入對管和電流鏡負載 他們的管子的W*L都是多大？ |
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| 18樓： | >>參與討論 |
| 作者： anrui 于 2006/9/14 10:45:00 發(fā)布：
阱電阻MODEL中有電壓系數(shù)沒？？ 如果沒有，那就是它了。 有的話，那就多使用monte carol |
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| 19樓： | >>參與討論 |
| 作者： eeunion 于 2006/9/15 16:01:00 發(fā)布：
個人看法 如果我沒有理解錯的話，bandgap里面的電阻，主要是起到比例關系的，絕對數(shù)值的偏差不會太重要，相對偏差不要太大就可以了。 OP的失調是一個問題，一般作的比較好的OP，mV數(shù)量級別的offset還是有的，你看一下你的電路，如果偏差1mV，輸出變化多少？ 呵呵，做電路就是這樣，思考，實踐，再思考 如果能看到電路圖和版圖，那是最好分析的，呵呵 |
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| 20樓： | >>參與討論 |
| 作者： BGR 于 2007/12/27 14:05:34 發(fā)布：
小弟也做過一陣bandgap reference的研究 對于電阻,認為主要相對誤差比較重要,前提是要用同種類型的電阻.所以最終只會與絕對精度有一定 個人離散度大,覺得有三個原因: 1.vbe值 2. op offset 會被放大喔,一般放大10倍是可能的.此外還有current mirror的mismatch,對于低功耗設計,此項也不可忽視. 3.封裝的應力等 所以,第2項應該是可以自己決定的,應該自己設計,減小offset,此外,layout一定要注意. 希望補充...... |
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| 21樓： | >>參與討論 |
| 作者： lightgo 于 2008/2/22 14:23:39 發(fā)布：
我覺得不管怎么工藝偏差，都不會有這么大的變化，我用smic做過bandgap，偏差在10mv以內。 1.你的所有bandgap電路的地線上的電壓都是一致的么？因為芯片內部的地和外部的地中間有個電阻，會產(chǎn)生壓降，這個可能導致bandgap的電壓不準。 2.如果地線沒有問題的話，那問題肯定出現(xiàn)在你的設計上，layout不可能會有這么大的偏差的。bandgap誤差來自幾個方面，一個是運放的offset電壓有多大，運放中晶體管的設計是否合理，有沒有處在危險的區(qū)域，另一個是bandgap core電路的偏置電流在設計上是否match，然后才是你的電阻，bipolar管的匹配。
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| 22樓： | >>參與討論 |
| 作者： ajchen 于 2009/6/6 16:06:00 發(fā)布：
smic的nwell電阻很容易偏的很厲害的 |
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| 23樓： | >>參與討論 |
| 作者： KEN360 于 2010/1/5 20:44:47 發(fā)布：
nwell電阻，very stupid做法。。offset的影響有多大，看電路結構了。正常的做好matching的bandgap的6個西格碼為+/-3~4%. 以Vbe影響最大。 |
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| 24樓： | >>參與討論 |
| 作者： meixinxf 于 2010/1/26 14:06:35 發(fā)布：
我的也是仿真600mV ,結果為500-700mV,沒用nwell電阻，poly電阻,smic 0.18um。關注中啊 |
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| 25樓： | >>參與討論 |
| 作者： lin 于 2010/3/11 22:01:59 發(fā)布：
流過PNP管的電流是否過��？ |
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