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關(guān)于220V單向橋式半控整流電路(有圖) 老是燒電路,請(qǐng)教 |
| 作者:singlemans 欄目:電源技術(shù) |
關(guān)于220V單向橋式半控整流電路 老是燒電路,請(qǐng)教 采用的是單向橋式半控整流電路(大都數(shù)電力電子書上都有的電路) 220V輸入,加了續(xù)流二極管 控制電爐絲的熱功率(電阻常溫下36歐) 選用的可控硅參數(shù):55A,600V 選用的二極管參數(shù) 60A,600V 實(shí)驗(yàn)時(shí),輸入端家220V電壓,可控硅不加門極觸發(fā)電壓,電路沒燒,但很奇怪的是測(cè)得可控硅的陽極和陰極之間電壓有410V!!(不理解)。 后來換了另一型號(hào)的可控硅和二極管,仍然發(fā)現(xiàn)可控硅的陰極和陽極之間電壓為420V! 如果加門極電壓,實(shí)驗(yàn)室在極短的時(shí)間內(nèi)就跳閘,電路板上10A的保險(xiǎn)絲炸飛,續(xù)流二極管(電路圖中的RL)擊穿(短路), 現(xiàn)在試驗(yàn)無法做下去,很費(fèi)解,請(qǐng)教各位高人,萬謝! 我的郵箱:g.s.zhao@163.com qq:48315687 另外:門極脈沖觸發(fā)電壓不是一起觸發(fā),正弦波的前半周期,后半周期輪流觸發(fā),通過移相改變導(dǎo)通時(shí)間。 * - 本貼最后修改時(shí)間:2006-8-6 12:55:02 修改者:singlemans
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| 2樓: | >>參與討論 |
| 作者: maychang 于 2006/8/5 21:27:00 發(fā)布:
最好把圖貼上來 |
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| 3樓: | >>參與討論 |
| 作者: jz_main 于 2006/8/6 13:06:00 發(fā)布:
re 為什么不試試全橋整流后再用單向可控硅調(diào)壓呢?這樣的話就算燒可控硅也不會(huì)放煙花。 可控硅和二極管如果是從市場(chǎng)上買的話多半會(huì)有問題(一定要問代理拿)。還有,在試驗(yàn)前可以先試試把電爐單獨(dú)上電工作。如果一上電就跳閘的話可能電爐有問題或者實(shí)驗(yàn)室電路容量不夠。 |
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| 作者: singlemans 于 2006/8/6 22:43:00 發(fā)布:
RE 我在低壓(交流20V)下,用這個(gè)電路做出來的結(jié)果是對(duì)的(如下圖),也就是說二極管肯定沒有接錯(cuò),用220V做,總是燒毀一個(gè)可控硅以及與它在一個(gè)支路上的二極管,這兩個(gè)的最大值為600V,55A呀,怎么會(huì)這樣呢?難道器件真有問題?
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| 5樓: | >>參與討論 |
| 作者: jz_main 于 2006/8/10 12:15:00 發(fā)布:
RE 電爐絲屬于大熱慣性元件,在設(shè)計(jì)中要考慮電路瞬時(shí)功率損耗的。如果實(shí)際電流只有10A的話那這個(gè)設(shè)計(jì)中只需要在負(fù)載上串聯(lián)1個(gè)電感就可以。但如果實(shí)際電流就是50A的話那么器件選擇就至少要達(dá)到3倍負(fù)載電流。 這個(gè)電路中,可控硅兩端一定要加阻容吸收電路。否則在可控硅關(guān)斷時(shí)兩端會(huì)有瞬變電壓,引起可控硅2次觸發(fā)的問題。還有,需要在觸發(fā)端放一個(gè)1K左右的電阻和一個(gè)0.01UF的電容,也可以改善觸發(fā)的?煽毓枳詈眠x用低靈敏度的。然后用大電流觸發(fā),這樣比較可靠。 你可以花時(shí)間在這個(gè)網(wǎng)站上找找看可控硅的用法,我以前看到過的。對(duì)初學(xué)者很有幫助?上抑匮b系統(tǒng)時(shí)把整個(gè)硬盤都格式化了。什么都沒留下。 |
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| 6樓: | >>參與討論 |
| 作者: 86525600 于 2006/8/10 18:14:00 發(fā)布:
正品的器件沒燒過 我曾經(jīng)選用過很多廠家的可控硅,大部分是假的,最好采用進(jìn)口器件。 |
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