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特別提醒所有做NAND驅(qū)動(dòng)和使用NAND的朋友

作者:平常人 欄目:單片機(jī)
特別提醒所有做NAND驅(qū)動(dòng)和使用NAND的朋友

根據(jù)結(jié)構(gòu)不同,NAND有兩類:大頁(yè)的NAND和小頁(yè)的NAND。每種NAND的一頁(yè)中都有數(shù)據(jù)段和附加段,大頁(yè)的NAND中數(shù)據(jù)段=2048B、附加段=64B;小頁(yè)的NAND中數(shù)據(jù)段=512B、附加段=16B。

大頁(yè)的NAND是:One page = 512B + 16B, One block = 32page
小頁(yè)的NAND是:One page = 2048B + 64B, One block = 64page or 128page

一塊中的所有頁(yè)可以不按順序燒寫(xiě)。

對(duì)于燒寫(xiě)(Program)大頁(yè)的NAND有這樣的要求:在一頁(yè)中,數(shù)據(jù)段的燒寫(xiě)不能超過(guò)四次,附加段的燒寫(xiě)不能超過(guò)四次。

對(duì)于燒寫(xiě)(Program)小頁(yè)的NAND有相似的要求:在一頁(yè)中,數(shù)據(jù)段的燒寫(xiě)不能超過(guò)兩次,附加段的燒寫(xiě)不能超過(guò)三次。

上面所說(shuō)的燒寫(xiě)過(guò)程定義如下:
  80H--地址--數(shù)據(jù)寫(xiě)入--10H-- 內(nèi)部燒寫(xiě)操作 --70H--讀出狀態(tài)

若有不妥之處,望各位大俠斧正。

2樓: >>參與討論
fanxinghua
請(qǐng)?jiān)谡f(shuō)清楚一點(diǎn)
對(duì)于燒寫(xiě)(Program)大頁(yè)的NAND有這樣的要求:在一頁(yè)中,數(shù)據(jù)段的燒寫(xiě)不能超過(guò)四次,附加段的燒寫(xiě)不能超過(guò)四次。

不太明白,如果我改一個(gè)頁(yè),一般都是把不該的頁(yè)復(fù)制到一個(gè)快,然后擦除那需要修改頁(yè)的塊,在寫(xiě)入修改后的頁(yè),在把其余的頁(yè)復(fù)制過(guò)來(lái)

不太明白樓主 的意思

3樓: >>參與討論
平常人
NAND操作中頁(yè)的復(fù)制
你的做法沒(méi)有違反那個(gè)原則,這個(gè)原則的前提是“在一頁(yè)中”,即一頁(yè)中數(shù)據(jù)段的2048個(gè)字節(jié)最多可以分四次寫(xiě)完(大頁(yè)),或512字節(jié)分兩次寫(xiě)完(小頁(yè))。

而你的操作是:復(fù)制若干頁(yè)然后再寫(xiě)若干頁(yè),每一頁(yè)都是一次寫(xiě)完的!標(biāo)準(zhǔn)操作!

注:這個(gè)原則不是我的發(fā)明,是NAND產(chǎn)品的廠商提出來(lái)的,你們可以在幾乎任何一個(gè)廠家的任何一個(gè)NAND的手冊(cè)中找到它。在工作中我碰到很多人沒(méi)有注意到這一點(diǎn),把NAND當(dāng)成EEPROM來(lái)用了。通常,不遵守這個(gè)原則不會(huì)馬上發(fā)生什么問(wèn)題,但既然生產(chǎn)廠家提出來(lái)的,我們還是要加以注意,畢竟這涉及到數(shù)據(jù)的安全性。



4樓: >>參與討論
kcl123
我用ATDB45321C時(shí)都是等RAM中數(shù)據(jù)夠一頁(yè)后再寫(xiě)入,應(yīng)該正確的吧?
 
5樓: >>參與討論
平常人
正確的!
這是標(biāo)準(zhǔn)做法

6樓: >>參與討論
eleven11
附加段的燒寫(xiě)最多次數(shù)剛好三次
做的nandflash寫(xiě)平衡附加段的燒寫(xiě)最多次數(shù)剛好三次

這2句話的意思應(yīng)該是不能對(duì)同一附加段、頁(yè)在2次擦除之間的編程操作不能超過(guò)對(duì)應(yīng)的2,3,4次,因?yàn)閚andflash寫(xiě)操作是把1變成0,有些人就利用這些特性反復(fù)編程,

7樓: >>參與討論
平常人
謝謝樓上的精彩補(bǔ)充
加上“在2次擦除之間的編程操作不能超過(guò)......”之后表述就更嚴(yán)謹(jǐn)了。

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