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如何自檢 |
| 作者:longer_zhl 欄目:單片機(jī) |
大家好,我是個(gè)新手,請問在用AT89C51編程時(shí)如何進(jìn)行RAM和ROM的自檢,具體編程方法請大家指點(diǎn)一二,小弟這里不勝感激 |
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| 作者: computer00 于 2006/2/20 22:25:00 發(fā)布:
RAM的自檢,就是寫入數(shù)據(jù)再讀出,然后比較是否一致。 一般使用0xAA,0x55作為測試數(shù)據(jù)。 而ROM則不好自檢,使用某些校驗(yàn)(如CRC,累加和等)。 |
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| 3樓: | >>參與討論 |
| 作者: gdtyy 于 2006/2/21 8:25:00 發(fā)布:
ROM和RAM測試總結(jié) ROM和RAM測試總結(jié) asdjf@163.com 2003/10/17 在硬件系統(tǒng)出廠前要進(jìn)行產(chǎn)品測試;在嵌入式系統(tǒng)工作之前,一般也要進(jìn)行自檢,其中ROM和RAM檢測必不可少,可是有不少人對于測試目的、原因和方法存在錯(cuò)誤理解。 為什么要測試ROM和RAM,怎么測試呢?普遍的看法是:由于擔(dān)心ROM和RAM芯片損壞,在出廠和使用前應(yīng)該校驗(yàn)這兩種芯片的好壞。測試RAM的方法是寫讀各個(gè)內(nèi)存單元,檢查是否能夠正確寫入;測試ROM的方法是累加各存儲(chǔ)單元數(shù)值并與校驗(yàn)和比較。這種認(rèn)識不能說錯(cuò),但有些膚淺,照此編出的測試程序不完備。一般來說,ROM和RAM芯片本身不大會(huì)被損壞,用到次品的概率也比較小,真正出問題的,大都是其他硬件部分,因此,測試ROM和RAM往往是醉翁之意不在酒。 ROM測試 測試ROM的真正目的是保證程序完整性。 嵌入式軟件和啟動(dòng)代碼存放在ROM里,不能保證長期穩(wěn)定可靠,因?yàn)橛布⒍ㄊ遣豢煽康摹R?a target="_blank" href="http://m.58mhw.cn/stock-ic/FLASH.html">FLASH ROM為例,它會(huì)由于以下兩種主要原因?qū)е鲁绦驌]發(fā): 1。受到輻射。本身工作在輻射環(huán)境里/運(yùn)輸過程中受到輻射(如過海關(guān)時(shí)被X光機(jī)檢查)。 2。長時(shí)間存放導(dǎo)致存儲(chǔ)失效,某些0、1位自行翻轉(zhuǎn)。 無論如何,在硬件上存放的程序都是不可靠的。如果完全不能運(yùn)行,那到也不會(huì)造成太大的損失。怕就怕程序可以運(yùn)行,但某些關(guān)鍵數(shù)據(jù)/關(guān)鍵代碼段被破壞,引發(fā)致命錯(cuò)誤。為此,必須在程序正常工作前,在軟件層面上保證所運(yùn)行的程序100%沒有被破壞,保證現(xiàn)在要運(yùn)行的程序就是當(dāng)初寫入的。 保證程序完整性的方法很多,例如對全部程序進(jìn)行CRC校驗(yàn)(-16和-32)/累加和校驗(yàn)(移位累加),只要能在數(shù)學(xué)上確保出錯(cuò)概率極低,工程上就可以認(rèn)為程序完整。 程序完整性測試通過,捎帶著也就證明了ROM沒有被損壞。即測試ROM是否損壞只是測試的副產(chǎn)品,不是主要目的。 RAM測試 測試RAM的真正目的是保證硬件系統(tǒng)的可靠性。 RAM真的是太不容易壞了,我至今還沒有看見過一起因?yàn)镽AM損壞導(dǎo)致的系統(tǒng)不正,F(xiàn)象。不過大部分問題卻可以通過RAM測試反映出來。仔細(xì)想想,當(dāng)硬件被生產(chǎn)出來/被插到背板上究竟會(huì)發(fā)生什么錯(cuò)誤呢!是不是感到自己做的板子出問題的可能性更大!請考慮如下幾點(diǎn): 1。生產(chǎn)工藝不過關(guān),過孔打歪了,與臨近信號線距離不滿足線規(guī)甚至打在了線上。 2。由于搭錫引起的信號線粘連。 3。虛焊/漏焊引起的接觸不良。 4。不按規(guī)程操作,把手印兒印在了高頻線上。 5。板子臟了也不吹,覆蓋了一層灰塵(內(nèi)含金屬微粒)。 ...... 這些現(xiàn)象比較有趣,試舉幾例: 1。地址線A0和A1粘連。讀出XXX00、XXX01、XXX10三個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)完全一樣。 2。數(shù)據(jù)線D0和D1粘連。D0和D1只要有一個(gè)為0,那么兩條線都為0。 3。接觸不良。時(shí)好時(shí)壞。 4。器件表面處理不干凈,有助焊劑殘留。低速訪問正常,大負(fù)荷高速訪問頻繁死機(jī)。 總之,我們做的板子在生產(chǎn)中和使用中都會(huì)有出錯(cuò)機(jī)會(huì),所以出廠前必須測試,使用前必須自檢。(當(dāng)然如果你做的不是實(shí)際產(chǎn)品而是實(shí)驗(yàn)室樣品的話,可以簡化步驟。) 如何測試RAM呢?寫一個(gè)數(shù)然后讀出來判斷顯然測不出所有問題,單個(gè)測試數(shù)據(jù)不易覆蓋全部測試內(nèi)容,更不用說定位錯(cuò)誤原因了(RAM壞、地址/數(shù)據(jù)線粘連、接觸不良)。好的測試應(yīng)盡可能測出粘連、RAM壞、單板高頻特性。 我總結(jié)的方法是這樣的:(如測試一個(gè)FFH字節(jié)的RAM) 首先,測試地址線, 1。'0'滑動(dòng),隨機(jī)選擇一個(gè)數(shù)如55、AA之類,依次寫到FEH、FDH、FBH、F7H、EFH、DFH、BFH、7FH地址單元里去,把地址寫成二進(jìn)制數(shù),可以看到比特0在地址總線上從低到高滑動(dòng),謂之'0'滑動(dòng)。目的是測試這些地址線在依次變0時(shí)是否穩(wěn)定正常。當(dāng)每一根線由1變0,會(huì)產(chǎn)生下沖,如果下沖控制不好,在高頻時(shí)會(huì)引起錯(cuò)誤。單板上地址線不一定一樣長,下沖也就不會(huì)完全一樣,因此,每一根線都單獨(dú)測一下下沖性能。 2。'1'滑動(dòng),隨機(jī)選擇一個(gè)數(shù)如55、AA之類,依次寫到1H、2H、4H、8H、10H、20H、40H、80H地址單元里去,把地址寫成二進(jìn)制數(shù),可以看到比特1在地址總線上從低到高滑動(dòng),謂之'1'滑動(dòng)。,目的是測試這些地址線在依次變1時(shí)是否穩(wěn)定正常。當(dāng)每一根線由0變1,會(huì)產(chǎn)生上沖,如果上沖控制不好,在高頻時(shí)會(huì)引起錯(cuò)誤。單板上地址線不一定一樣長,上沖也就不會(huì)完全一樣,因此,每一根線都單獨(dú)測一下上沖性能。上沖和下沖是不同的指標(biāo),要分別測一下。 3。"全0變?nèi)?",隨機(jī)選擇一個(gè)數(shù)如55、AA之類,寫到FFH單元,再寫到00H單元,然后寫到FFH單元。把地址寫成二進(jìn)制數(shù),可以看到地址線從全'0'變到全'1'。由信號處理理論知,在電壓階躍跳變時(shí)包含無限寬頻譜,其中高頻部分對外產(chǎn)生輻射,這些輻射信號是干擾源,對臨近線路產(chǎn)生較大影響。地址線一般集束布線,同時(shí)跳變會(huì)引起最大干擾。地址線從全'0'變到全'1',干擾、上沖、扇出電流影響最大。 4。"全1變?nèi)?",緊接上一步,隨機(jī)選擇一個(gè)數(shù)如55、AA之類,寫到00H單元。把地址寫成二進(jìn)制數(shù),可以看到地址線從全'1'變到全'0',產(chǎn)生最大下沖干擾。 5。"粘連測試"。依次向不同地址單元寫入不同數(shù)據(jù)并讀出判斷,如:1、2、3、4......此步驟捎帶測試了RAM好壞。注意,千萬別用相同數(shù)據(jù)測試,否則測不出粘連。 6?蛇x"全0全1連續(xù)高速變化"。目的是模擬最惡劣情況(大扇出電流、強(qiáng)干擾、上/下沖)。 然后,測試數(shù)據(jù)線,(原理與測試地址線相同,1、2兩步順帶測試了數(shù)據(jù)線粘連) 1。'0'滑動(dòng),向某一固定地址依次寫入FEH、FDH、FBH、F7H、EFH、DFH、BFH、7FH并讀出判斷。 2。'1'滑動(dòng),向某一固定地址依次寫入1H、2H、4H、8H、10H、20H、40H、80H并讀出判斷。 3。"全0變?nèi)?",所有單元置1(先清零再置1并讀出判斷)。 4。"全1變?nèi)?",所有單元清零(清零并讀出判斷)。 5?蛇x"全0全1連續(xù)高速變化"。向某一單元高速交替寫入若干全'0'和全'1',最后以全'0'結(jié)束。 至此,RAM測試完畢,同時(shí)全部存儲(chǔ)單元清零。 對于出廠檢測程序,有較大發(fā)揮余地,如可以加入錯(cuò)誤定位代碼,自動(dòng)指出錯(cuò)誤原因和錯(cuò)誤位置。 每一塊單板的高頻特性都會(huì)因?yàn)樯a(chǎn)工藝誤差(制板、材料、焊接、組裝等)和使用情況而各不相同。同一塊板子的高頻特性在不同情況下表現(xiàn)也不相同。 綜上所述,除了測試RAM好壞,大部分代碼測的是單板硬件可靠性。 如果不關(guān)心高頻特性,用原來的測試方法就差不多了(如果測試數(shù)據(jù)沒選好,可能測不出數(shù)據(jù)線粘連),但應(yīng)該認(rèn)識到,測試RAM的主要對象不是RAM本身的好壞,而是連接RAM的單板硬件和線路。 以上是我實(shí)際工作經(jīng)驗(yàn)的一些總結(jié),寫出來與大家交流,如有不對之處懇請指正! 源程序(偽代碼) //TEST ROM TestROM() {//用移位累加和校驗(yàn) sum=0; for(i=0;i<MAXRAMSize;i++){ sum=sum+ram[i]; sum=sum>>1; } if(sum==CHECKSUM) printf("ROM TEST OK!\n"); else printf("ROM TEST ERROR!\n"); } //TEST RAM TestRAM() { //地址線測試 '0'滑動(dòng); '1'滑動(dòng); "全0變?nèi)?"; &qu |
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