|
|||||||||||
| 技術交流 | 電路欣賞 | 工控天地 | 數(shù)字廣電 | 通信技術 | 電源技術 | 測控之家 | EMC技術 | ARM技術 | EDA技術 | PCB技術 | 嵌入式系統(tǒng) 驅(qū)動編程 | 集成電路 | 器件替換 | 模擬技術 | 新手園地 | 單 片 機 | DSP技術 | MCU技術 | IC 設計 | IC 產(chǎn)業(yè) | CAN-bus/DeviceNe |
PMOS |
| 作者：zjpmcz 欄目：技術交流 |
為何有的IC設計時只能用PMOS，NMOS不是更常用嗎？用PMOS的好處是什么呢 |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： sheepyang 于 2006/1/4 12:11:00 發(fā)布：
什么結(jié)構的電路 看你電路的結(jié)構了。我想在電路設計中不用NMOS不太可能吧。是多少的問題。 1、PMOS在LDO中作輸出管是因為Vgs是負的,壓差可以作很小。如果用NMOS,則柵壓要大于漏電壓以求較小的Rds(on),所以要么雙電源，要么里面增加電荷泵電路。復雜。 2、偏置部分，道理同上。 3、差分輸入，如果不是高頻的話，則同尺寸的PMOS的噪聲低于NMOS. 4、其他，請各位大俠來補充了。 |
|
| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： computer00 于 2006/1/4 12:30:00 發(fā)布：
我記得好象PMOS有更低的導通電阻…… |
|
| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： sheepyang 于 2006/1/4 13:18:00 發(fā)布：
呵呵 導通電阻與|Vgs-Vt|有關啊。|Vgs|越大,Ron越小。 PMOS工作是由于柵壓是低于源電壓的，所以很容易實現(xiàn)。 但是NMOS就不行了。要低壓差那就要Vgs很大，但是由于 柵壓要高于源才能工作，所以最小的壓差起碼是Vt(Vg=Vin). 也就是根本不能實現(xiàn)小的Ron. 但是NMOS輸出補償比較容易，所以在有的LDO設計中有采用 電荷泵來增加柵壓的，也就是實現(xiàn)小的Ron. 當然另外一種方法就是采用雙電源，即柵接電位高的電源，而漏接低電位的電源。 從實際上來講，NMOS的遷移率大于PMOS(約2到3倍),如果兩者|Vgs-Vt|及幾何尺寸相同，NMOS的Ron要比PMOS小2到3倍。 |
|
| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： 赤鑄 于 2006/1/4 17:50:00 發(fā)布：
有時只能用PMOS，主要就是個“極性”的問題 當MOSFET接在電路的“高端”做開關或線性控制，又找不到“更高”的電壓去控制柵極，就只好選PMOS了 |
|
|
|
| 免費注冊為維庫電子開發(fā)網(wǎng)會員，參與電子工程師社區(qū)討論，點此進入 |
Copyright © 1998-2006 m.58mhw.cn 浙ICP證030469號 |