|
|||||||||||
| 技術(shù)交流 | 電路欣賞 | 工控天地 | 數(shù)字廣電 | 通信技術(shù) | 電源技術(shù) | 測控之家 | EMC技術(shù) | ARM技術(shù) | EDA技術(shù) | PCB技術(shù) | 嵌入式系統(tǒng) 驅(qū)動編程 | 集成電路 | 器件替換 | 模擬技術(shù) | 新手園地 | 單 片 機 | DSP技術(shù) | MCU技術(shù) | IC 設(shè)計 | IC 產(chǎn)業(yè) | CAN-bus/DeviceNe |
有個模擬電路,請教高手,謝謝! |
| 作者:willyqian 欄目:模擬技術(shù) |
P1,P2是電源輸入,無正負之分。輸入電壓為9V--16V。MG1是電機。該電路是在電機堵轉(zhuǎn)電流增大時的保護電路,請問在電路中DZ1和DZ2是什么作用。請高手說的詳細點;蛘吡粝侣(lián)系方式,小弟將聯(lián)系你。謝謝
|
| 2樓: | >>參與討論 |
| 作者: oldzhang 于 2005/12/20 20:38:00 發(fā)布:
整個電路原理很清楚 MOS管導(dǎo)通是需要一定電壓的.DZ1和DZ2稍顯得多余 * - 本貼最后修改時間:2005-12-23 15:32:23 修改者:oldzhang |
|
| 3樓: | >>參與討論 |
| 作者: awey 于 2005/12/20 20:59:00 發(fā)布:
我來分析一下工作原理: 原理: 上下電路對稱的,一個正轉(zhuǎn)保護,一個反轉(zhuǎn)保護 保護方式:截止式 現(xiàn)只說電機上正下負的情況(反向同理) 正向加電時,電源加到R9的上方,同時通過電機加到R8的上方; 因R8×C6 >> (R9+R4)×C7 在Q2導(dǎo)通之前,C7電壓上升很快,當高于DZ2并大于Q4的導(dǎo)通電壓時,Q4導(dǎo)通,馬達轉(zhuǎn)動。 而Q4導(dǎo)通時,又使R8上端的電壓降到很低(R12的壓降),C6放電,Q2維持截止狀態(tài)。 而當電機堵轉(zhuǎn),電流增大,電流檢測電阻R12上的壓降增大,此電壓將通過R8給C6充電,當電壓大于Q2的導(dǎo)通電壓時,Q2導(dǎo)通,C7通過R4、Q2的CE放電,使Q4柵極電壓降低而關(guān)斷,Q4關(guān)斷后,又使R8上的電壓上升到供電電壓,加大了Q2的導(dǎo)通電流(相當與正反饋),維持Q4的關(guān)斷。 所以說保護是截止式的。 DZ4是保護Q4的柵極的,不至于太高,ZD2提供一個電壓臺階,等同于提高Q4的導(dǎo)通電壓。 |
|
| 4樓: | >>參與討論 |
| 作者: ecuijw 于 2005/12/20 22:50:00 發(fā)布:
上電通路 請問:正向加電時,是通過怎么樣的一個通路加到R9上的?DZ2的存在,實際上是分掉了一部份電壓,怎么算是"等同于提高Q4的導(dǎo)通電壓"? |
|
| 5樓: | >>參與討論 |
| 作者: sheepyang 于 2005/12/21 9:03:00 發(fā)布:
受教育了 最不愛分析電路了。 ecuijw問題我來回答。:) P1正電,上半部分的電路是不工作的。Q1,Q3都是截止的。 R9的電壓通路是 P1-->C4-->R7-->R11-->R9, D2擊穿后電壓才施加在Q4上。所以說相當于抬高了 Q4的柵壓。 |
|
| 6樓: | >>參與討論 |
| 作者: willyqian 于 2005/12/21 11:56:00 發(fā)布:
還是請教三樓的awey 你把原理分析的很充分,但是關(guān)于DZ2我還是不太理解。能不能具體說明一下啊,假設(shè)我們把DZ1和DZ2直接用導(dǎo)線連接會出現(xiàn)什么情況呢?我的聯(lián)系方式:QQ:123706802。MSN:qianhengwei@hotmail.com. 小弟在此先謝謝你了。 |
|
| 7樓: | >>參與討論 |
| 作者: henryfang 于 2005/12/21 14:33:00 發(fā)布:
我也來分析一下 我覺得三樓的awey分析的很有道理,但R4和C7構(gòu)成的因該是一個濾波電路,由于電機在轉(zhuǎn)動的過程中有很多高頻脈沖信號,R4和C7夠成一個積分電路,能有效的保護后極MOSFET。 DZ2按三樓樓主的分析似乎是可要可不要。如果這個MOSFET的最大柵源電壓足夠大的話。 |
|
| 8樓: | >>參與討論 |
| 作者: awey 于 2005/12/21 14:36:00 發(fā)布:
DZ2在此只能看成是抗干擾用的 就是上面所說相當于抬高了Q4的柵壓。但在此電路中用好像有點沒必要,有可能是Q4的導(dǎo)通電壓離散性大,加DZ2使得Q4導(dǎo)通延時時間更一致些。 (但R6電阻較大,會使得DZ2提供的門限電壓有不確定性 ??) |
|
| 9樓: | >>參與討論 |
| 作者: xzliu 于 2005/12/21 16:08:00 發(fā)布:
上電通路還是不懂 那為什么不說是 R9的電壓通路是 P1-->C5-->R2-->R11-->R9, 呢? 而且R10的電壓肯定比P1電壓低(P1+,P2-情況下),如何讓Q2導(dǎo)通? 還有Q2內(nèi)部并聯(lián)的溫壓二極管,在P1+,P2-的時候是不是就通了呢? |
|
| 10樓: | >>參與討論 |
| 作者: oldzhang 于 2005/12/22 11:54:00 發(fā)布:
幾位說的對,DZ1/DZ2是門限設(shè)置,使得正常運行時不保護 在正常運行時,取樣電阻上的電壓不能達到dz4的電壓,堵轉(zhuǎn)后取樣電阻上的電壓才會使得DZ1/DZ2導(dǎo)通,提供MOS管導(dǎo)通電壓. 好電路.這個電路設(shè)計很完善,應(yīng)該是一個實際應(yīng)用電路 DZ3/DZ4是保護的,不要省掉.電機這種負載,堵轉(zhuǎn),停止,會產(chǎn)生高壓的. * - 本貼最后修改時間:2005-12-22 12:03:40 修改者:oldzhang |
|
| 11樓: | >>參與討論 |
| 作者: willyqian 于 2005/12/23 10:56:00 發(fā)布:
謝謝樓上的 謝謝各位大蝦指點,小弟收益非淺。謝謝 |
|
| 12樓: | >>參與討論 |
| 作者: willyqian 于 2005/12/28 16:33:00 發(fā)布:
再次請教各位大蝦 假設(shè)我把DZ1,DZ2去掉會有什么影響。請各位大蝦幫忙說明說明。 |
|
| 13樓: | >>參與討論 |
| 作者: ever820120 于 2005/12/28 20:02:00 發(fā)布:
受教育ING |
|
|
|
| 免費注冊為維庫電子開發(fā)網(wǎng)會員,參與電子工程師社區(qū)討論,點此進入 |
Copyright © 1998-2006 m.58mhw.cn 浙ICP證030469號 |