|
|||||||||||
| 技術(shù)交流 | 電路欣賞 | 工控天地 | 數(shù)字廣電 | 通信技術(shù) | 電源技術(shù) | 測(cè)控之家 | EMC技術(shù) | ARM技術(shù) | EDA技術(shù) | PCB技術(shù) | 嵌入式系統(tǒng) 驅(qū)動(dòng)編程 | 集成電路 | 器件替換 | 模擬技術(shù) | 新手園地 | 單 片 機(jī) | DSP技術(shù) | MCU技術(shù) | IC 設(shè)計(jì) | IC 產(chǎn)業(yè) | CAN-bus/DeviceNe |
為什么數(shù)據(jù)線上33歐姆電阻要靠近SDRAM？ |
| 作者：ysdx 欄目：ARM技術(shù) |
地址線上的靠近CPU。 |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： gaocheng 于 2005/9/15 16:40:00 發(fā)布：
阻抗匹配問題吧。 看看信號(hào)完整性分析相關(guān)文獻(xiàn) |
|
| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： 焊出個(gè)未來 于 2005/9/15 22:11:00 發(fā)布：
好找又好焊，這么簡(jiǎn)單的道理還用教 |
|
| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： amp 于 2005/9/15 22:19:00 發(fā)布：
信號(hào)完整性需求 導(dǎo)線是有阻抗的，數(shù)據(jù)線上33歐姆電阻靠近SDRAM降低了信號(hào)進(jìn)入SDRAM前因?yàn)閷?dǎo)線電容和電感引起的過沖 |
|
| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： mxh0506 于 2005/9/15 22:54:00 發(fā)布：
數(shù)據(jù)線是雙向的吧? 如果規(guī)則如此簡(jiǎn)單,干脆做到芯片里不何不妥? |
|
| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： china_fog 于 2005/9/16 15:26:00 發(fā)布：
前面回答 信號(hào)完整性的網(wǎng)友已經(jīng)回答得很到位了 |
|
| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： yongzong 于 2005/9/16 20:43:00 發(fā)布：
可以不要 得看仿真結(jié)果 |
|
| 8樓： | >>參與討論 |
| 作者： liangjingxin 于 2005/9/17 9:40:00 發(fā)布：
其實(shí)這是一個(gè)信號(hào)完整性領(lǐng)域中傳輸線的阻抗匹配問題 其實(shí)這是一個(gè)信號(hào)完整性領(lǐng)域中傳輸線的阻抗匹配問題，當(dāng)信號(hào)頻率很高或者電平變化太快時(shí)，如果不在芯片外部做適當(dāng)?shù)淖杩蛊ヅ渚蜁?huì)因傳輸線效應(yīng)帶來了信號(hào)完整性問題，即由于信號(hào)反射產(chǎn)生信號(hào)的過沖和震鈴等。33歐電阻靠近SDRAM與靠近CPU都一樣，都是為了吸收信號(hào)的一次反射和二次反射，至于三次四次等反射則會(huì)因吸收了前兩次反射而能量大大減弱了。大概就是這樣吧，請(qǐng)各路高手指教。 |
|
|
|
| 免費(fèi)注冊(cè)為維庫電子開發(fā)網(wǎng)會(huì)員，參與電子工程師社區(qū)討論，點(diǎn)此進(jìn)入 |
Copyright © 1998-2006 m.58mhw.cn 浙ICP證030469號(hào) |