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SDRAM值不能修改,F(xiàn)LASH無(wú)法燒寫(xiě),求救于各位大俠!

作者:sanpy 欄目:ARM技術(shù)
SDRAM值不能修改,FLASH無(wú)法燒寫(xiě),求救于各位大俠!
SDRAM值不能修改,FLASH無(wú)法燒寫(xiě),求救于各位大俠!
小弟近日自己畫(huà)了一塊S3C44B0X的板子,配置如下:
CPU:44B0X
SDRAM:HY57V641620 (nGCS6)
FLASH:E28F128J3A (nGCS0)
使用的是wiggler的板子+ARM7調(diào)試代理+ADX
問(wèn)題如下:所有連線和焊接都以檢查過(guò)了,無(wú)短路和虛焊現(xiàn)象。10M晶振、32.768K晶振都以

起振。
電源供電正常,使用ARM7調(diào)試代理可以檢測(cè)到“ARM7TDMI”字樣

使用FLASHPGM可以讀到FLASH ID,可以擦除,可以讀到Target MEMORY,但是就是不能燒寫(xiě),

一燒寫(xiě),很久進(jìn)度條都沒(méi)有動(dòng)靜,過(guò)一會(huì)彈出錯(cuò)誤提示:sequence aborted。Fill也不行,

報(bào)錯(cuò)Address 00000000 Failed to program。

Erase后再讀Target MEMORY,全FF,但是燒寫(xiě)HEX文件老出錯(cuò),進(jìn)度條根本就沒(méi)有出現(xiàn),但報(bào)

錯(cuò)后,再讀Target MEMORY,可以發(fā)現(xiàn)頭兩個(gè)字節(jié)不是FF,而是別的值了,但其他的單元還是

FF。

在AXD里命令行敲入obey 44b0.ini,
44b0.ini內(nèi)容如下:
setmem 0x01C80000,0x11110101,32
setmem 0x01C80004,0x00000600,32
setmem 0x01C80008,0x00007ffc,32
setmem 0x01C8000C,0x00007ffc,32
setmem 0x01C80010,0x00007ffc,32
setmem 0x01C80014,0x00007ffc,32
setmem 0x01C80018,0x00007ffc,32
setmem 0x01C8001C,0x00018000,32
setmem 0x01C80020,0x00018000,32
setmem 0x01C80024,0x0086060e,32
setmem 0x01C80028,0x10,32
setmem 0x01C8002C,0x20,32
setmem 0x01C80030,0x20,32
然后打開(kāi)MEMORY窗口,輸入地址0x0c000000(SDRAM的起始地址),全FF,無(wú)法修改任意一個(gè)單

元的值,但是內(nèi)部SRAM可以修改(輸入地址0x10000000,內(nèi)部cache的起始地址,可以修改任

意一個(gè)單元)

困惑了好幾天了,還請(qǐng)各位大俠幫忙分析分析是哪里的原因~現(xiàn)在SDRAM不能用,FLASH也燒

不了,沒(méi)法調(diào)程序。。。!先謝過(guò)各位了。。。。


2樓: >>參與討論
st963432
看看你的管腳有沒(méi)有虛焊的
 
3樓: >>參與討論
interestin
你的數(shù)據(jù)線上加電阻了嗎?
我跟你做同樣的東西,遇到類似的問(wèn)題。我的saram可以修改,但是不穩(wěn)定。我做的板子數(shù)據(jù)線上沒(méi)有加電阻,在這里同問(wèn),這個(gè)會(huì)影響很大嗎?

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