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請教crystal osc設(shè)計(jì)問題！ |
| 作者：ksunkkk 欄目：IC設(shè)計(jì) |
采用典型的CRYSTAL gate osc結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，osc32kHz。 問題：spice仿真輸出僅僅mV量級，但是頻率32k！ 自我分析： 1.32k晶振模型有問題，我是在論文上找到的一個(gè)； 2.電路的細(xì)節(jié)結(jié)構(gòu)存在問題，我是用典型的反相器結(jié)構(gòu)； 3.電路參數(shù)問題，基本上都取的典型值。 想請教有經(jīng)驗(yàn)的xdjm，好像這個(gè)問題有人也碰到過。 3Q 先謝過！ |
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| 作者： favour 于 2005/6/3 13:08:00 發(fā)布：
.. 我認(rèn)為仿真時(shí)間不夠長： trans 時(shí)間長一點(diǎn)，看看會不會一下情況： 1、 會不會隨著時(shí)間的推移，輸出幅度會慢慢減小，導(dǎo)致最后不起振呢？ 2、 輸出幅度會慢慢增加，最后能夠起振穩(wěn)定。 如果是1、估計(jì)是反向器的gain不夠。 2、那就是振蕩穩(wěn)定時(shí)間的問題，調(diào)調(diào)反饋電阻的值可以解決。 |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： whb610 于 2005/6/3 13:53:00 發(fā)布：
輸出級的驅(qū)動夠不夠？ |
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| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： 于 2005/6/3 20:01:00 發(fā)布：
貼個(gè)圖出來大家看看再說 與反向器和反饋電阻關(guān)系很大 |
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| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： ksunkkk 于 2005/6/3 20:30:00 發(fā)布：
thanks to favour: 仿真時(shí)間至1s，輸出幅度變大，但還是mV量級，很快即飽和，幅值恒定，約2mV。 另外調(diào)過很多參數(shù)，未果。 很郁悶，難道是仿真方法有問題？！ |
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| 作者： asunmad 于 2005/6/4 8:54:00 發(fā)布：
可能跟你的仿真參數(shù)有關(guān) 仿真時(shí)步長設(shè)為多少？不要使內(nèi)部步長太大�？梢约觽�(gè).OPTION MAXSTEP=0.1ns或者更小的值試試，如果加上后數(shù)據(jù)文件太大，可以再加個(gè)INTERP=1。 |
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| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： zyg750115 于 2005/6/4 21:45:00 發(fā)布：
同意entertest 貼個(gè)圖來看看 同意entertest 貼個(gè)圖來看看， 除了與反向器的放大倍數(shù)有關(guān)外，還與需要接入時(shí)鐘的內(nèi)部內(nèi)結(jié)有關(guān)。初步給一個(gè)建議：反饋電阻100K，負(fù)責(zé)電容27PF，反向器電壓使用與主電壓一致的電壓 |
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| 8樓： | >>參與討論 |
| 作者： ksunkkk 于 2005/6/6 12:04:00 發(fā)布：
netlist 這個(gè)是電路的網(wǎng)表： X_cry xin xout XT32768K C_Cd xout 0 60pF C_Cg xin 0 30PF R_Rf xin xout 10meg M_M1 xout xin VDD VDD pmos W=18u L=2u M_M2 xout xin 0 0 nmos W=5u L=2u 請教 asunmad： 為什么會和仿真參數(shù)有關(guān)呢？我的步長.1u，我先試一下。 3Q～ |
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| 9樓： | >>參與討論 |
| 作者： asunmad 于 2005/6/6 12:07:00 發(fā)布：
你給步長是大了點(diǎn)。 步長太大使積累誤差太大，改小一點(diǎn)試試吧。可以直接改.tran語句中的步長，也可以加MAXSTEP選項(xiàng)。 我遇到過改小步長后能使幅度增加的情況。 |
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| 10樓： | >>參與討論 |
| 作者： ksunkkk 于 2005/6/7 11:27:00 發(fā)布：
改進(jìn) to asunmad： 試了一下小步長，確實(shí)能使幅度增加，還是很難理解？！ 那對于這種情況，因仿真方法不同導(dǎo)致仿真結(jié)果的差異，與實(shí)際情況會產(chǎn)生怎樣的結(jié)果呢？還請asunmad賜教，謝謝！ |
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| 11樓： | >>參與討論 |
| 作者： asunmad 于 2005/6/7 12:35:00 發(fā)布：
理論上當(dāng)仿真步長→無窮小時(shí)，仿真結(jié)果→實(shí)際情況 HSPICE在仿真過程根據(jù)仿真步長和信號的變化快慢來確實(shí)內(nèi)部仿真步長。在一般的電路，有外部信號源表明信號的變化情況，在信號變化快時(shí)HSPICE自動增加仿真點(diǎn)數(shù)。但在振蕩器中，信號是內(nèi)部產(chǎn)生的，所以只有靠設(shè)置內(nèi)部仿真步長來增加精度。 |
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| 12樓： | >>參與討論 |
| 作者： ksunkkk 于 2005/6/7 16:22:00 發(fā)布：
thanks a lot 明白一點(diǎn)了，多謝！ |
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| 13樓： | >>參與討論 |
| 作者： junjieh 于 2005/6/9 9:36:00 發(fā)布：
反饋電阻和負(fù)責(zé)電容的具體作用 反饋電阻和負(fù)責(zé)電容的具體作用還不太清楚。本人最近也在設(shè)計(jì)一個(gè)13.56M的晶體振蕩器電路，結(jié)構(gòu)和ksunkkk兄的完全一樣。只是用的晶體模型不一樣。認(rèn)真的時(shí)候同樣也遇到過這樣的問題，謝謝各位大俠解惑。不過小弟對各個(gè)元器件對電路的具體作用還不是很清楚，先謝謝了。 |
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| 14樓： | >>參與討論 |
| 作者： junjieh 于 2005/6/9 16:52:00 發(fā)布：
to asunmad 請教asunmad：你肯定知道的 |
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| 15樓： | >>參與討論 |
| 作者： asunmad 于 2005/6/9 20:41:00 發(fā)布：
反饋電阻是為了確定直流工作點(diǎn)，使反相器工作模擬放大器狀態(tài) 電容是為了與X'tal形成諧振電路，具體我說不太清楚。 |
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| 16樓： | >>參與討論 |
| 作者： junjieh 于 2005/6/10 17:13:00 發(fā)布：
謝謝asunmad 電容可能是減小反相器寄生的Cin，和Cout的作用。使得所有并聯(lián)電容有值可控。還有其它的作用就不知道了。C1，C2的取值除了考慮寄生電容的數(shù)量級外，在有些電路中C1不等于C2，而是不同的值，不知道為什么？ 還有這個(gè)反饋電阻的取值也不是很清楚。本來以為只要不太小就行，反正諧振網(wǎng)絡(luò)的接入系數(shù)P1很小，對Q影響不大。但又發(fā)現(xiàn)它和C1構(gòu)成低通濾波器。阻值太大的話反饋信號被衰減到小于1的話就不能起振。所以很希望有做個(gè)晶體振蕩器高手幫小弟講講，謝了先 |
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| 17樓： | >>參與討論 |
| 作者： junjieh 于 2005/6/10 17:20:00 發(fā)布：
13.56M模型 由于沒找到13.56M的晶體模型，仿真時(shí)用的是10M模型變換其中L值得到的。所以存在太多的近似。誰有13.56M的晶體模型給我一個(gè)，3X |
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| 18樓： | >>參與討論 |
| 作者： ksunkkk 于 2005/6/10 20:47:00 發(fā)布：
74或40系列的反相器 一般用74或40系列的反相器作為晶振的放大器即可滿足，想問一下實(shí)際74或40系列反相器是不是就是一個(gè)普通的CMOS INVERTER結(jié)構(gòu)？ 自己認(rèn)為可能有些差異，哪位研究過? |
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| 19樓： | >>參與討論 |
| 作者： zhang_2000 于 2005/6/11 10:53:00 發(fā)布：
反向器件 OSC1和OSC2之間就是一個(gè)反向器件。市場上的一些反向器件，一般都有一個(gè)緩沖。 使用過CD4069的寬長比，做為內(nèi)部的反向器，當(dāng)這個(gè)寬長比加倍時(shí)，使用同一晶體和同樣的電容（C1和C2）起震速度變慢。 使用CD4069的寬長比：當(dāng)C1=C2的時(shí)候，32.768K晶體起鎮(zhèn)速度慢。改變C2>C1,使用電容不協(xié)調(diào)起鎮(zhèn)的相位差改變，利于加快起鎮(zhèn)的速度。另外還跟工藝有一定的關(guān)系，即使你的反向器跟CD4069的寬長比一般的大，能夠是4069起鎮(zhèn)的電容，未必能使你的芯片起鎮(zhèn)。這個(gè)就需要你自己慢慢的來調(diào)出你的芯片的起鎮(zhèn)電容。 |
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| 20樓： | >>參與討論 |
| 作者： aliu0806 于 2005/6/11 20:06:00 發(fā)布：
會這樣子嗎？ 是不是你的晶振模型有問題��？呵呵，貼出來看看 |
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