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請(qǐng)教電子遷移的問(wèn)題

作者:chargepump 欄目:IC設(shè)計(jì)
請(qǐng)教電子遷移的問(wèn)題
在深亞微米技術(shù)中,如果有大電流流過(guò)較窄的線寬或者拐角,由于電子具有較大的動(dòng)能,撞擊原子,有可能造成金屬的斷裂和水平短路,我想問(wèn)問(wèn)具體的過(guò)程是怎么回事?基于什么原理?

2樓: >>參與討論
chargepump
沒(méi)有l(wèi)ayout的人么?
沒(méi)有l(wèi)ayout的人么?

3樓: >>參與討論
leihj211

是,撞擊之后,造成金屬局部的電子積附,而有些部位沒(méi)有電子。

4樓: >>參與討論
asunmad
我看樓主的帖子中已經(jīng)說(shuō)明了原理了。
電子獲得動(dòng)能,撞擊金屬原子,使金屬原子離開(kāi)原來(lái)的位置,造成斷裂,并可能使原來(lái)是金屬間隙的地方填上了金屬原子,造成短路。這就好比河床中的砂石被水流沖走,又在另一個(gè)地方形成三角洲。

5樓: >>參與討論
ksunkkk
energy
就像一根細(xì)導(dǎo)線通過(guò)大電流會(huì)斷的道理一樣。

6樓: >>參與討論
chargepump
謝謝大家,那么是不是在拐角處更容易發(fā)生這種現(xiàn)象呢?
謝謝大家,那么是不是在拐角處更容易發(fā)生這種現(xiàn)象呢

7樓: >>參與討論
asunmad
是這樣的,就跟在河流拐彎處更容易受到?jīng)_擊一樣。
 
8樓: >>參與討論
wen_1982
大電流金屬線拐角最好畫(huà)成45度角,90度角不推薦
特別是ESD DEVICE 和大功率MOSFET,BJT

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