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如何使用FPGA中的雙端口RAM |
| 作者：ygystar 欄目：EDA技術(shù) |
當(dāng)用ACEX1K器件中的EAB實(shí)現(xiàn)雙端口RAM時(shí)，我用的是lpm_ram_dp模塊，是否可以同時(shí)對(duì)同一存儲(chǔ)區(qū)進(jìn)行讀寫操作�？戳艘恍┵|(zhì)料，好像是不行，但我的時(shí)序圖如下，好像可以，只是輸出比輸入數(shù)據(jù)晚了一個(gè)節(jié)拍，而且同樣的宏單元在STRATIX中的時(shí)序是不一樣的，必須等一個(gè)地址周期的循環(huán)之后才能讀出數(shù)據(jù)，為什么呢？ |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： xjg1111 于 2005/3/9 8:19:00 發(fā)布：
re 可以仔細(xì)看看lpm_ram_dp，在一些選項(xiàng)路，是不是選擇了地址鎖存。如果是那么就可能會(huì)晚一個(gè)時(shí)鐘周期，因?yàn)榈刂返竭_(dá)RAM，需要一個(gè)時(shí)鐘周期。 多看，多仿真，會(huì)解決的。 其實(shí)你可以直接用語言寫大塊的RAM，它會(huì)自動(dòng)的綜合在EAB中，也挺好用。..... |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： ygystar 于 2005/3/9 13:55:00 發(fā)布：
是這樣 我在模塊中的確將輸入和輸出都REG了，但我的目的是想知道如果在同一個(gè)時(shí)鐘上升沿到來是，同一存儲(chǔ)單元的讀寫信號(hào)都有效，是否可以？ |
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| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： lp820913 于 2005/3/11 11:02:00 發(fā)布：
re 不可以同時(shí)讀寫一個(gè)單元，會(huì)沖突 |
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| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： jokeshe 于 2005/3/11 13:38:00 發(fā)布：
同時(shí)讀有問題的。 不過看器件而言。 如果是XILINX的，好象同時(shí)仿問的話，有一個(gè)是可以成功的，但我忘記是讀還是寫了。 ALTERA的也應(yīng)該差不多。 |
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| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： ygystar 于 2005/3/14 8:22:00 發(fā)布：
這樣可以嗎？ 如果我想以最快的速度把一個(gè)數(shù)據(jù)寫入雙端口RAM，然后讀出來，不用狀態(tài)機(jī)，應(yīng)該怎么實(shí)現(xiàn)呢？ 那我是不是至少讓同一周期的讀寫地址錯(cuò)開一個(gè)，或者讓讀使能比寫使能晚一個(gè)周期產(chǎn)生？ 有誰有相關(guān)的時(shí)序圖嗎？ |
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| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： bluefancy 于 2005/3/14 8:24:00 發(fā)布：
請(qǐng)教是不是在CPLD，例如7256里用LPM也能實(shí)現(xiàn)雙口RAM?謝謝！ |
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| 8樓： | >>參與討論 |
| 作者： cunliang 于 2005/3/18 0:50:00 發(fā)布：
回樓上 不可 |
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| 9樓： | >>參與討論 |
| 作者： aliao2003 于 2005/3/24 9:38:00 發(fā)布：
請(qǐng)問對(duì)雙口RAM先讀后寫，最快能用多少的時(shí)鐘在一個(gè)周期內(nèi)搞定 請(qǐng)問對(duì)雙口RAM先讀后寫，最快能用多少的時(shí)鐘在一個(gè)周期內(nèi)搞定： 用的是XILINX的spartanIII系列，48MHZ可以嗎？ |
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