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VP0109ND Datasheet

  • VP0109ND

  • P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

  • 4頁

  • SUPERTEX   SUPERTEX

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VP0104/VP0106/VP0109
Typical Performance Curves
Output Characteristics
-2.0
-1.0
VGS = -10V
-1.6
VGS = -10V
-1.2
-0.8
Saturation Characteristics
I
D
(amperes)
I
D
(amperes)
-0.6
-8V
-0.8
-8V
-0.4
-6V
-0.4
-6V
-0.2
-4V
0
0
-10
-20
-30
-40
-50
0
0
-2
-4
-6
-4V
-8
-10
V
DS
(volts)
Transconductance vs. Drain Current
250
2.0
V
DS
(volts)
Power Dissipation vs. Case Temperature
V
DS
= -25V
200
T
A
= -55擄C
T
A
= 25擄C
T
A
= 125擄C
G
FS
(millisiemens)
P
D
(watts)
150
TO-92
1.0
100
50
0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
0
0
25
50
75
100
125
150
I
D
(amperes)
Maximum Rated Safe Operating Area
-10
1.0
T
C
(擄C)
Thermal Response Characteristics
Thermal Resistance (normalized)
0.8
I
D
(amperes)
-1.0
0.6
TO-92(DC)
-0.1
0.4
0.2
TO-92
P
D
= 1W
T
C
= 25擄C
0.01
0.1
1
10
T C = 25擄C
-0.01
-0.1
-1.0
-10
-100
0
0.001
V
DS
(volts)
t
p
(seconds)
3

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