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IRF530ND Datasheet

  • IRF530ND

  • TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 17A I(D) |...

  • 104.68KB

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IRF530N
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
Ratings and Characteristic Curves
(T
Drain Current vs. Case Temperature
20
A
= 25擄C unless otherwise noted)
I
D
鈥?Drain Current (A)
15
10
5
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
鈥?Case Temperature (擄C)
Avalanche Energy vs. Drain Current
350
V
DD
= 25V
E
AS
鈥?Single Pulse Energy (mJ)
300
250
200
150
100
50
0
25
9.0A
I
D
= 3.7A
6.4A
50
75
100
125
150
175
Starting T
J
鈥?Junction Temperature (擄C)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
10
Z
J胃C
鈥?Normalized Effective Transient
Thermal Impedance
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.1
0.02
0.01
Single Pulse
0.01
10鈥?
10鈥?
10鈥?
0.01
0.1
1
t
1
鈥?Square Wave Pulse Duration (sec)

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