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PBSS301ND Datasheet

  • PBSS301ND

  • 20 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

  • 16頁(yè)

  • PHILIPS

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Philips Semiconductors
PBSS301ND
20 V, 4 A NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
V
BEsat
(V)
1.3
1.1
1.5
006aaa332
10
3
R
CEsat
(鈩?
10
2
(1)
006aaa333
0.9
0.7
10
(1)
(2)
(2)
1
(3)
(3)
0.5
10
鈭?
0.3
0.1
10
鈭?
10
鈭?
10
鈭?
1
10
10
2
10
3
10
4
10
5
1
10
10
2
10
3
I
C
(mA)
10
4
10
5
I
C
(mA)
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
=
鈭?5 擄C
(2) T
amb
= 25
擄C
(3) T
amb
= 100
擄C
T
amb
= 25
擄C
(1) I
C
/I
B
= 100
(2) I
C
/I
B
= 50
(3) I
C
/I
B
= 10
Fig 9. Base-emitter saturation voltage as a function of
collector current; typical values
Fig 10. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
9397 750 14958
漏 Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 鈥?25 April 2005
9 of 16

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