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PBSS301ND Datasheet

  • PBSS301ND

  • 20 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

  • 16頁

  • PHILIPS

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Philips Semiconductors
PBSS301ND
20 V, 4 A NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
1000
h
FE
800
(1)
006aaa328
1.4
V
BE
(mV)
1.2
1.0
0.8
(1)
(2)
006aaa329
600
(2)
400
(3)
0.6
(3)
0.4
0.2
200
0
10
鈭?
1
10
10
2
10
3
10
4
10
5
I
C
(mA)
0
10
鈭?
1
10
10
2
10
3
10
4
10
5
I
C
(mA)
V
CE
= 2 V
(1) T
amb
= 100
擄C
(2) T
amb
= 25
擄C
(3) T
amb
=
鈭?5 擄C
V
CE
= 2 V
(1) T
amb
=
鈭?5 擄C
(2) T
amb
= 25
擄C
(3) T
amb
= 100
擄C
Fig 5. DC current gain as a function of collector
current; typical values
10
V
CEsat
(V)
1.0
(1)
Fig 6. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
10
V
CEsat
(V)
1
006aaa331
006aaa330
10
鈭?
(2)
(3)
10
鈭?
(1)
10
鈭?
10
鈭?
(2)
(3)
10
鈭?
10
鈭?
1
10
10
2
10
3
10
4
10
5
I
C
(mA)
10
鈭?
10
鈭?
1
10
10
2
10
3
10
4
10
5
I
C
(mA)
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 100
擄C
(2) T
amb
= 25
擄C
(3) T
amb
=
鈭?5 擄C
T
amb
= 25
擄C
(1) I
C
/I
B
= 100
(2) I
C
/I
B
= 50
(3) I
C
/I
B
= 10
Fig 7. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 8. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
9397 750 14958
漏 Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 鈥?25 April 2005
8 of 16

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