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PBSS301ND Datasheet

  • PBSS301ND

  • 20 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

  • 16頁

  • PHILIPS

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Philips Semiconductors
PBSS301ND
20 V, 4 A NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
10
3
Z
th(j-a)
(K/W)
10
2
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
(10)
006aaa273
10
1
10
鈭?
10
鈭?
10
鈭?
10
鈭?
10
鈭?
10
鈭?
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB; mounting pad for collector 6 cm
2
(1)
未
= 1
(2)
未
= 0.75
(3)
未
= 0.5
(4)
未
= 0.33
(5)
未
= 0.2
(6)
未
= 0.1
(7)
未
= 0.05
(8)
未
= 0.02
(9)
未
= 0.01
(10)
未
= 0
Fig 4. Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse time; typical values
9397 750 14958
漏 Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 鈥?25 April 2005
6 of 16

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