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STP30NM60ND Datasheet

  • STP30NM60ND

  • N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 F...

  • 15頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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STP/F30NM60ND - STB30NM60ND - STI30NM60ND - STW30NM60ND
Electrical characteristics
Table 7.
Symbol
I
SD
I
SDM
(1)
Source drain diode
Parameter
Source-drain current
Source-drain current (pulsed)
Forward on voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Reverse recovery current
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Reverse recovery current
I
SD
= 25A, V
GS
= 0
I
SD
= 25A, V
DD
= 60V
di/dt=100A/碌s
(see Figure 4)
I
SD
= 25A,V
DD
= 60V
di/dt=100A/碌s,
T
J
= 150擄C
(see Figure 4)
TBD
TBD
TBD
TBD
TBD
TBD
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
25
100
1.6
Unit
A
A
V
ns
碌C
A
ns
碌C
A
V
SD (2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
1. Pulse width limited by safe operating area
2. Pulsed: Pulse duration = 300 碌s, duty cycle 1.5%.
5/15

STP30NM60ND 產(chǎn)品屬性

  • 50

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • FDmesh™

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 600V

  • 25A

  • 130 毫歐 @ 12.5A，10V

  • 5V @ 250µA

  • 100nC @ 10V

  • 2800pF @ 50V

  • 190W

  • 通孔

  • TO-220-3

  • TO-220AB

  • 管件

  • 497-8448-5

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